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Fraunhofer IAF

Neue Transistor-Technologie erreicht Rekord-Grenzfrequenzen

Am Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF entwickelte Metalloxidhalbleiter-High-Electron-Mobility-Transistoren (MOSHEMTs) haben eine Rekordfrequenz von 640 GHz erreicht. Damit können Bauteile weiter verkleinert und leistungsfähiger werden.

Leistungselektronik, Sensorik und SoC

Halbleiter-Joint Venture für die Mobilität von morgen

Toyota und Denso wollen ab April 2020 in einem gemeinsamen Joint Venture namens „MIRISE...

Vom Luxusmotorboot zum Minibagger

Cat 301.7 Minibagger: Dank Elektroantrieb auf leisen Sohlen

Wenn Lärm- und Abgasemissionen vor Ort nicht gewünscht sind, punktet der neue Cat 301.7...

NXP erleichtert KI in Edge-Geräten

i.MX-Prozessoren mit neuronaler Verarbeitungseinheit

Der neue i.MX 8M Plus-Anwendungsprozessor von NXP Semiconductors verfügt über einen...

Infineon

Kleinster 3D-Bildsensor für Gesichtsauthentifizierung vorgestellt

Mit seiner neuen REAL3 Single-Chip-Lösung hat die Infineon Technologies AG den weltweit...

Weidmüller u-create ResMa

Effizienzbewertung und -optimierung industrieller Prozesse

Ein Energiemanagement nach ISO 50.001 erfordert die kontinuierliche Prüfung und...

innogy gridX

Intelligentes Energiemanagement für Industrie und Gewerbe

innogy hat gemeinsam mit dem Start-Up GridX seit April eine neue, intelligente Form des...

WDV Molliné Ultraschall-Aufschnallzähler

Clamp-on-Zähler für flexible Verbrauchsmessungen

Mobile, flexible und ad-hoc Messungen ermöglichen Clamp-on Zähler von WDV Molliné. Sie...

ZENNER Cloud

Universelle Energie-IoT-Plattform

Die neue ZENNER Cloud ist eine Plattform für Internet of Things (IoT)-Anwendungen aus...

PERPETUUM 2020 Energieeffizienzpreis

Gesucht: Innovative Energiesystemlösungen

Der Countdown läuft: Für den PERPETUUM 2020 Energieeffizienzpreis sucht die Deutsche...