Relais

Für die Ansteuerung induktiver Lasten wie mechanischer Relais oder einzelner Spulen hat Toshiba die MOSFET-Familie 357 konzipiert, in der eine aktive Spannungsbegrenzung mittels einer zwischen Drain und Gate integrierten Diode realisiert wird. Die Einzel- (SSM3K357R) und Dual-MOSFET-Variante (SSM6N357R) schützen Treiber vor Schäden durch Überspannung. Die Bausteine widerstehen einer maximalen Drain-Source-Spannung (VDSS) von 60 V und einem maximalen Drain-Strom (ID) von 0,65 A. Der Durchlasswiderstand (RDS(ON)) beträgt 800mΩ bei VGS=5,0 V.    

Der Einzel-MOSFET SSM3K357R ist in einem Gehäuse der SOT-23F-Klasse (2,9mm x 2,4mm x 0,8mm) untergebracht und ist für die Ansteuerung von Relais und Spulen aufgrund der niedrigen Betriebsspannung von 3,0 V geeignet. Da der Baustein gemäß AEC-Q101 qualifiziert ist, ist er sowohl für Anwendungen in der Automobilindustrie als auch in anderen industriellen Bereichen geeignet.