IGBTs, MOSFETs & Co.
26. Oktober 2016, 11 Bilder
Den 1700-V-SiC-MOSFET SCT2H12NZ hat Rohm für industrielle Anwendungen wie Fertigungsanlagen und universelle Hochspannungs-Wechselrichter optimiert. Der im TO-3PFM-Gehäuse untergebrachte Leistungshalbleiter-Bausteinweist einen On-Widerstand von 1,15 Ω auf