MOSFETs von Toshiba: um 40 Prozent kleinerer RDS(on)

Toshiba hat die Leistungs-MOSFETs der DTMOS-Serie mit einem Super-Junction-Sperrschichtübergang ausgestattet. Die Verluste der Bausteine wurden dadurch erheblich reduziert.

So liegt der Einschaltwiderstand RDS(on) nun laut Toshiba um 40 Prozent unter dem Wert herkömmlicher MOSFETs. Der erste Baustein dieser neuen Baureihe, der »TK15A50S« eignet sich speziell für den Einsatz in Stromversorgungen für Fernseher und Haushaltsgeräte sowie für Netzadapter und Ballast-Schaltungen in der Beleuchtungs-Technik. Die Leistungs-MOSFETs bieten maximale Nennwerte von 15 A und 600 V. Ihr Einschaltwiderstand beträgt 0,3 Ohm.