Produkte des Jahres 2024 – Power
Verlustarme SiC-Powermodule
SiC-Halbleitermodule verbessern Gesamtsysteme durch ihre schnellen Schaltzyklen. Das erfordert eine niedrige parasitäre Induktivität im Modul, während der Markt gleichzeitig die Kompatibilität zu existierenden Silizium-basierten Halbleitermodulen verlangt, die in der Regel eine relativ hohe, interne parasitäre Induktivität aufweisen. Dieses Dilemma, das bisher die Kommerzialisierung der SiC-Technologie in bestimmten Bereichen behinderte, wurde von Mitsubishi Electric im Juni 2023 gelöst. Das Ergebnis sind die »SiC-MOSFET-Powermodule« für die Spannungsklassen 1200 V und 1700 V im etablierten NX-Gehäuse als Halbbrückenmodul mit jeweils 600 A Nennstrom. Durch laminaren Aufbau interner Stromschienen konnte die interne parasitäre Induktivität von 17 nH auf 9 nH reduziert werden.
Mitsubishi Electric Europe