Toshiba Electronics Europe
Neuer HF-SOI-Prozess verbessert HF-Schalter und LNAs
Toshiba Electronics Europe hat mit dem TaRF11 einen neuen HF-SOI-Prozess (Silicon On Insulator) entwickelt, mit dem sich die Leistungsmerkmale von HF-Schaltern/LNAs verbessern lässt.