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Alle Bilder im Überblick

Diagramm des Ein-Widerstands des Analogschalters ADG333A
© Analog Devices
Testschaltung für die Messung des Ein-Widerstands eines Analogschalters.
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LTspice-Befehle zu Bild 2a
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Simulationsergebnis für die Schaltung aus Bild 2.
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Einfluss der Variation von Gamma auf die Simulation der Schaltung aus Bild 2.
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Ergebis der Simulation mit WN = 1170 µm.
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Ergebnis der Simulation mit RDN = 22 Ω.
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Simualtion der optimierten Testschaltung aus Bild 2.
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Simulierte Temperaturabhängigkeit des Ein-Widerstandes.
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Datenblatt-Diagramm der Temperaturabhängigkeit des Ein-Widerstandes.
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Modifitierte Schaltung für die Simulation.
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LTspice-Befehle für die Simulation der Schaltung aus Bild 9a.
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Simulation der Ladungsinjektion.
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Simulierter Verlauf der Ladungsinjektion.
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Datenblatt-Diagramm zur Ladungsinjektion.
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Eränzte Schaltung für die Simulation.
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BilLTspice-Befehle für die Simulation der Schaltung aus Bild 12a.
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Simulierter Verlauf der Aus-Kapazität.
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Simulierter Verlauf der Aus-Kapazität.
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Wechselschaltermodell für die Simulation.
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LTspice-Befehle für die Simulation der Schaltung aus Bild 14a.
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Simulierter Verlauf der Ein-Kapazität.
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Simulierter Verlauf der Ein-Kapazität.
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Schaltung für die Simulation eines Analogschalters (Umschalter) zur Ermittlung der Leckströme.
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LTspice-Befehle für die Simulation der Schaltung aus Bild 16a.
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Simulierte Temperaturabhjängigkeit des Lekstroms.
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Gate-Treiber für den Analogschalter.
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Simuliertes Zeitverhalten des Gate-Treibers.
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Simuliertes Zeitverhalten des Gate-Treibers.
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Simuliertes Umschaltverhalten.
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Datenblatt-Diagramm zum Zeitverhalten.
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Simulierte Temperaturabhängigkeit der Zeitverzögerung.
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Finale Simulationsschaltung.
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Makromodell des ADG333A.
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Finale Testschaltung für die Analogschaltersimulation.
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LTspice-Befehle für die Simulation der Schaltung aus Bild 24a.
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