Dynamic Random-Access Memory (DRAM) ist eine Art von flüchtigem Speicher, der in den meisten Computern und elektronischen Geräten weit verbreitet ist. DRAM ist entscheidend für die Leistung von Systemen, da er den temporären Arbeitsbereich für den Prozessor und andere Komponenten bereitstellt, was schnellen Zugriff auf Daten ermöglicht.
DRAM speichert Informationen in Form von elektrischer Ladung in winzigen Kondensatoren, die ständig aufgefrischt werden müssen, um ihre Daten zu behalten. Diese Notwendigkeit zur Auffrischung ergibt sich aus der natürlichen Entladung der Kondensatoren, was DRAM von statischem RAM (SRAM) unterscheidet, das keine ständige Auffrischung benötigt.
Jede DRAM-Zelle besteht aus einem Kondensator und einem Zugriffstransistor. Der Kondensator speichert die Bits von Daten entweder als geladen (1) oder entladen (0). Der Transistor fungiert als Schalter, der steuert, ob der Kondensator geladen oder entladen werden kann, abhängig von den Steuersignalen, die er erhält.
Die Hauptnachteile von DRAM umfassen seine Flüchtigkeit, die ständige Stromzufuhr und Auffrischung erfordert, sowie seine Anfälligkeit für verschiedene Arten von Fehlern, wie z. B. Soft Errors durch kosmische Strahlung und Alpha-Partikel.
DRAM spielt eine entscheidende Rolle in der Architektur moderner Computer und elektronischer Geräte. Seine Fähigkeit, schnell auf Anfragen zu reagieren, macht ihn zu einem unverzichtbaren Bestandteil für Systeme, die hohe Leistung erfordern. Trotz seiner Herausforderungen bleibt DRAM ein Grundpfeiler des Speicherdesigns, mit ständigen Verbesserungen in der Technologie, die seine Effizienz und Kapazität weiter steigern.