Viel mehr als nur in die Höhe bauen
Wie wird 3D-NAND-Flash industrietauglich?
22. März 2021, 09:00 Uhr |
Von Jens Krüger, Team Manager Application Engineering von Glyn
Hat früher „Bungalow-Größe“ mit der 2D-NAND-Technologie ausgereicht, muss man jetzt für Terabyte-Kapazitäten in die Höhe bauen. Doch wie meistert dieses „Hochhaus“ auch die harten Anforderungen industrieller Anwendungen? Ein Überblick.
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Glossar
- SLC: Single Level Cell – 1 bit/Zelle
- MLC: Multi-Level Cell – 2 bit/Zelle
- TLC: Triple-Level Cell – 3 bit/Zelle
- P/E Cycles: Program-Erase Cycles,
- ein Maß für die Lebensdauer eines Flash-Speichers
- BCH-Verfahren: nach den drei Code-Entwicklern Bose, Chaudhuri, Hocquenghem
- LPDC: Low Density Parity Check
- pSLC: pseudo Single Level Cell, also eine MLC oder TLC, die als 1-bit-Zelle genutzt wird (SLC-Mode). Dadurch können wesentlich mehr Lese-/Schreibzyklen erreicht werden als bei einer SLC.