علن اثنان من عملاء وييبت نانو عن إتمام عمليات مرحلة إرسال التصميم النهائي للشريحة إلى التصنيع لدوائر متكاملة متكاملة (ICs) ) مدمج بها ذاكرة ذاكرة ReRAM غير المتطايرة الخاصة بالشركة، والتي يتم حاليًا نقلها إلى مرحلة الإنتاج الكمي. وقد تمكن أحد العملاء بالفعل من تقديم نموذج أولي يعمل بكفاءة.
د إنجاز مرحلة إرسال التصميم النهائي للشريحة إلى التصنيع من قبل العملاء خطوة محورية على طريق التصنيع واسع النطاق، ويمثل تحقيقًا لأحد الأهداف الثلاثة التي وضعتها شركة وييبت لعام 2026 خلال اجتماعها السنوي لعام 2025.
قامت شركة أوفرلوود لابس بدمج تقنية تقنية ReRAM الخاصة بـوييبت ضمن تصميم نظام إدارة البطاريات الذكي من الجيل التالي، ما أتاح تحسينات كبيرة في الكفاءة والموثوقية. وقد تم مؤخرًا إرسال تصميم الشريحة إلى شركة دي بي هايتك لإتمام عملية إرسال التصميم النهائي للشريحة إلى التصنيع.
وبمجرد بدء إنتاج هذه الشرائح بكميات كبيرة وتسليمها للعملاء، سيتم اختبارها ضمن التطبيقات الفعلية لإثبات تفوق تقنية تقنية ReRAM مقارنة بغيرها من تقنيات الذاكرة المدمجة غير المتطايرة. وتشمل هذه المزايا خفض استهلاك الطاقة والتكاليف، مع تحسين الأداء العام للأنظمة.
أما العميل الثاني، فقد بدأ بالفعل في إنتاج دائرة متكاملة أخرى تعتمد على على ReRAM من وييبت، وحصل مؤخرًا على أول نموذج أولي من السيليكون. وتشير الاختبارات الأولية إلى أن الشريحة تعمل وفقًا للتوقعات.
الانتقال إلى الإنتاج الكمي خلال 12 إلى 18 شهرًا
في كلا المشروعين، يخطط العملاء لإجراء المزيد من الاختبارات وعمليات التوصيف والتأهيل، وهي مراحل قد تستغرق ما بين 12 إلى 18 شهرًا. وبعد اجتياز هذه المراحل بنجاح، يمكن البدء في الإنتاج الكمي.
ويقول كوبي هانوخ، الرئيس التنفيذي لشركة وييبت نانو:
"إن أول منتج تجاري يحتوي على تقنية تقنية ReRAM الخاصة بنا ونجاحه في اجتياز الاختبارات الوظيفية الأولية يمثل إنجازًا مهمًا، وخطوة رئيسية نحو الإنتاج الكمي. ونتوقع تنفيذ المزيد من عمليات التصنيع النهائي خلال هذا العام".
وفي الوقت الحالي، تجري الشركة مناقشات مع عملاء محتملين آخرين، مدفوعة بالطلب المتزايد على حلول الذاكرة المدمجة غير المتطايرة التي تتميز بسرعة أعلى، وكفاءة طاقة أفضل، وأداء متقدم، بالإضافة إلى التوسع في إتاحتها عبر المسابك المسابك (Foundries) ) والشركات المصنعة المتكاملة.