China baut selbst 54 Mrd. Dollar für neue Speicher-Fabs

DRAMs und 3D-NAND-Speicher möchte die chinesische Tsinghua Unigroup in ihrer neuen Fab in Nanjing fertigen. Sie soll 30 Mrd. Dollar kosten.
DRAMs und 3D-NAND-Speicher möchte die chinesische Tsinghua Unigroup in ihrer neuen Fab in Nanjing fertigen. Sie soll 30 Mrd. Dollar kosten.

DRAMs und 3D-NAND-Speicher möchte die chinesische Tsinghua Unigroup in ihrer neuen Fab in Nanjing fertigen. Sie soll 30 Mrd. Dollar kosten.

If you can´t buy them, beat them: Wenn die Pläne der staatseigenen Tsinghua Unigroup aufgehen, will das Unternehmen über die nächsten Jahre insgesamt 54 Mrd. Dollar in den Bau neuer Fabs für Speicher-ICs stecken. Denn neben dem jetzt angekündigten Projekt in Nanjing investiert das Unternehmen rund 24 Mrd. Dollar in eine neue Fab in Wuhan, die ebenfalls ab 2020 Flash-Speicher fertigen soll. Die Kapazität, so ist aus Asien zu hören, soll bei 300.000 Wafern pro Monat liegen.

Schon zuvor war die Tsinghua Unigroup kräftig auf Einkaufstour gegangen.

Ist das die Antwort auf die gescheiterte Übernahme von Micron im Jahr 2015, die sich die aufstrebende chinesische Firma auch schon 23 Mrd. Dollar kosten lassen wollte? Damals hatten die US-Regulatoren die Übernahme aus Gründen der nationalen Sicherheit verhindert.

Weil die Regierungen in den USA und Europa zunehmend vorsichtiger werden, Übernahmen chinesischer Firmen im High-Tech- und insbesondere im Halbleitersektor zu genehmigen, bleibt den Chinesen keine andere Wahl, als eine eigene Industrie aufzubauen. Da bieten sich Speicher an, weil sie in hohen Stückzahlen für viele Geräte benötigt werden, die China fertigt. Außerdem lassen sich Speicher immer noch als Technologietreiber für neue Fabs nutzen.

Auf jeden Fall passt der Bau der Speicher-IC-Fabs sehr gut in die Strategie Chinas, eine starke eigene Chip-Industrie aufbauen zu wollen. Schon 2014 hatte die chinesische Regierung angekündigt, über die nächsten zehn Jahre 150 Mrd. Dollar dafür ausgeben zu wollen.