Schneller CNT-Transistor auf Folie

NEC hat einen gedruckten Transistor auf Basis von Kohlenstoff-Nanoröhren (CNT) entwickelt, bei dem die Elektronenbeweglichkeit hundert mal höher sein soll, als in herkömmlichen organischen Transistoren, vergleichbar mit Silizium.

Hergestellt werden die schnellen Folien-Transistoren mit Hilfe des Spin-Coating-Verfahrens. Dabei wird das Material mit den CNTs auf eine PEN-Folie »aufgetröpfelt« (Polyethylen-Naphthalat) und durch Rotation verteilt.

Nach Angaben von NEC ist die Elektronenbeweglichkeit im Kanal des Transistors etwa einhundert Mal höher, als in herkömmlichen organischen Transistoren. Die Beweglichkeit beträgt 100 cm²/Vs, was ähnlich hoch ist, wie bei Silizium (92 cm²/Vs). Die Funktion des Transistors wurde erfolgreich getestet und bestätigt. Die Elektroden des Transistors sind in Gold ausgeführt.  

NEC sieht in gedruckten Transistoren auf CNT-Basis ein großes Potenzial, da die Herstellung im Vergleich zur Halbleiterherstellung umweltfreundlicher ist.