GaN-Leistungshalbleiter
ON Semiconductor und Transphorm verbrüdern sich
ON Semiconductor und Transphorm wollen gemeinsam auf Galliumnitrid basierende Leistungshalbleiter entwickeln und vermarkten. Die erste gemeinsam entwickelte Lösung, GaN-Transistoren mit 600 V Sperrspannung, werden voraussichtlich bis Ende 2014 in Musterstückzahlen zur Verfügung stehen.
In den Bausteinen, die für kompakte Netzteile im Leistungsbereich von 200 W bis 1000 W geeignet sind, werden ein Niederspannungs-MOSFET aus Silizium von ON Semiconductor in Kaskode mit einem GaN-HEMT (High Electron-Mobility Transistor) verbaut. Packaging, Montage und Test finden bei ON Semiconductor statt.
»Durch die Partnerschaft mit einem führenden Leistungshalbleiterunternehmen wie ON Semiconductor soll den Kunden ein breiterer Satz an GaN-basierten Produkten und Lösungen zur Verfügung stehen«, meint Fumihide Esaka, CEO von Transphorm. Sowohl er als auch Bill Hall, Executive Vice President und General Manager der Standard Products Group von ON Semiconductor sind sich sicher, dass diese Zusammenarbeit die Marktdurchdringung von GaN signifikant beschleunigen wird.
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