Elektronik-Zeitreise Schnelle Si-Dioden nach dem Ionen-Einpflanzungsverfahren

Ein Größenvergleich der Si-Dioden aus dem Jahr 1969 mit einem Pfennig-Stück.
Ein Größenvergleich der Si-Dioden aus dem Jahr 1969 mit einem Pfennig-Stück.

Einen erheblichen Fortschritt gegenüber diffundierten Silizium-Dioden stellten Dioden dar, die mittels Ionen-Einpflanzungsverfahren hergestellt wurden. Hier ein Produkt des Herstellers Isofilm International aus dem Jahr 1969.

Nach dem Ionen-Einpflanzungsverfahren, bei dem die maximale Dotierungskonzentration nur etwa 10 nm unter der Oberfläche des Kristalls erreicht wird (im Gegensatz zu diffundierten Silizium-Dioden bei etwa 2 µm), hat die Firma Isofilm International Silizium-Dioden entwickelt, die eine Anstiegszeit von 0,5 ns und eine Erholzeit von 3 ns aufweisen, und zwar bei einem Strom von etwa 500 mA.

Außerdem kommt man mit diesem Verfahren auf eine niedrigere Durchlaßspannung. Sie liegt zum Beispiel bei einem Durchlaßstrom von 1 mA zwischen 150 und 450 mV gegenüber diffundierten Si-Dioden, die bei diesem Strom Durchlaßspannungen von 400 bis 800 mV aufweisen.

Hersteller: Isofilm International, USA;
Vertrieb: Ing. Erich Sommer, Frankfurt

 

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Elektronik-ZeitreiseDie Elektronik wird 65 Jahre – der perfekte Moment, um eine kleine Elektronik-Zeitreise zu beginnen: Wir haben in unserem Archiv geschmökert und bahnbrechende Neuigkeiten der vergangenen 65 Jahre entdeckt. Erleben Sie in unserer Elektronik-Zeitreise revolutionäre Neuigkeiten der vergangenen Jahrzehnte – gerne mit einem Schmunzeln.