Flash-Speicher Neues vom Flash Memory Summit

Die erste NGSFF-SSD, die Samsung vorstellt, hat ein Speichervorlumen von 16 TB.
NGSFF - Next Generation Small Form Factor - ist ein Formfaktor ähnlich M.2 für Server-SSDs.

Auf dem Flash Memory Summit stellten die Großen der Branche ihre Pläne für neue Chips und Speicherprodukte vor. Was in den nächsten Monaten zu erwarten ist.

Heute endet im kalifornischen Santa Clara der Flash Memory Summit, auf dem die Massenspeicher- und Halbleiterhersteller neue Flash-Produkte präsentierten. Die Marktanalysten von Gartner erwarten im Mainstream-PC-Markt eine jährliche Zunahme der SSDs um 20 Prozent über den Zeitraum von 2016 bis 2021. Dies zeigt, dass die Verdrängung von rotierenden Festplatten schnell voranschreitet.

Noch ein Bit mehr pro Zelle

Auf Chip-Ebene kündigte Western Digital seine X4-Technik für die 3D-NAND-Speicherarchitektur BiCS an. BiCS steht für Bit Column Stacked und ist das 3D-Herstellungsverfahren für Flash-Speicher von Toshiba, das seit 2015 produziert wird. Gegenwärtig werden BiCS3-Bausteine mit 64 Schichten gefertigt. Western Digital erweitert die Speicherkapazität dieser Bausteine nun, indem nicht nur drei Bit pro Speicherzelle (Triple Level Cell) sondern vier Bit gespeichert werden (X4 oder Quad Level Cell). Damit kann ein einzelner Flash-Chip 768 Gbit speichern. Im Online-Shop von Western Digital sind die entsprechenden Laufwerke in M.2- und 2,5-Zoll-Bauform mit Kapazitäten von 256 GB bis 2 TB bereits vorhanden, aber noch nicht bestellbar. Verfügbarkeit: "Sommer 2017". Auch für die nächste BiCS-Generation, BiCS4 mit 96 Lagen, hat Western Digital die Verwendung der X4-Technik bereits angekündigt. Ein Termin wird dafür allerdings noch nicht genannt – in diesem Jahr ist mit den neuen Chips auch nicht mehr zu rechnen.

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Neues vom Flash Memory Summit 2017

Auf dem Flash Memory Summit stellten die Großen der Branche ihre Pläne für neue Chips und Speicherprodukte vor.

Über die Langlebigkeit der X4-Speicherzellen macht Western Digital keine Aussage. Immerhin muss der Controller für die vier Bit pro Zelle 16 verschiedene Spannungslevel zuverlässig unterscheiden können. Schon der Umstieg von zwei auf drei Bit pro Zelle brachte einen deutlichen Einbruch der möglichen Schreibzyklen: von ca. 10.000 auf 1.500. 3D-Flash-Speicher werden allerdings mit größeren Strukturbreiten als planare Flash-Speicher hergestellt. Dadurch wird die Zelle robuster. Toshiba geht davon aus, dass die Haltbarkeit von Quad-Level-Zellen fast so groß ist wie die von Triple-Level-Zellen.

Neue Consumer- und Server-SSDs von Toshiba

Bisher bleibt Toshiba selbst aber noch bei der TLC-Technik. Die auf dem Flash Memory Summit vorgestellte SG6-SSD-Serie nutzt die aktuellen BiCS-Bausteine mit 64 Lagen. Die SSDs sind in Kapazitäten von 256, 512 und 1024 GB verfügbar und für Mainstream-PCs bestimmt. Die Datentransferrate erreicht bis zu 550 MB/s beim Schreiben und 535 MB/s beim sequenziellen Lesen. Auch diese Produktgeneration ist bisher nur "für ausgewählte Kunden" verfügbar. Erst später im Jahr kommen die Speichergeräte, die es im M.2- und 2,5-Zoll-Format gibt, in die Läden.

Für Firmenkunden und den Einbau in Server hat Toshiba ebenfalls auf Basis der Chipgeneration BiCS3 die SSD-Generationen PM5 mit SAS-Interface und CM5 mit NVMe-Anschluss vorgestellt. Die PM5-Serie gibt es mit Speicherkapazitäten bis 30,72 TB im 2,5-Zoll-Formfaktor. Dank Multilink-SAS liegt die sequenzielle Schreib- bzw. Lesergeschwindigkeit bei bis zu 2720 MB/s bzw. 3350 MB/s. Die CM5-Serie ist mit einem NVMe-Interface (Non-volatile Memory Express), einer Abwandlung von PCI-Express, ausgestattet. Die maximal mögliche Kapazität im 2,5-Zoll-Gehäuse beträgt hier "nur" 15,36 TB.