Kampf um die NAND-Vorherrschaft Nach Toshiba baut auch Samsung neue Speicher-Fab

Erst kürzlich hatte der japanische Halbleiterhersteller Toshiba Semiconductor angekündigt, eine dritte 300-mm-Fab zu öffnen, jetzt zieht der koreanische Marktführer Samsung nach: Im September soll eine Line-16 genannte Fab eröffnen, die 200.000 300-mm-NAND-Speicher-Wafer pro Monat produzieren kann.

Die neue Samsung-Fab wird im sogenannten Nano-City-Komplex in Hwaseong in der südkoreanischen Provinz Gyeonggi stehen, die Grundsteinlegung erfolgte im Mai 2010. In ihr sollen primär NAND-Speicherchips produziert werden, über die Höhe der Investition ist nichts bekannt.

Toshiba hatte angekündigt, im August 2011 mit Fab 5 die dritte 300-mm-Linie in Yokkaichi in der japanischen Präfektur Mie zu eröffnen. Die NAND-Chips werden in einem 24-nm-Prozess gefertigt werden, später ist eine Fertigung in einem 19-nm-Prozess geplant - wann dies genau allerdings der Fall sein wird, sagte Toshiba nicht. Die technische Ausstattung übernahm Toshiba zusammen mit dem US-Chipdesigner Sandisk. Das Fab-5-Gebäude sei erdbebengeschützt ausgelegt und mit Sicherungssystemen vor Stromausfällen geschützt. LED-Beleuchtung und energiesparende Anlagen sollen den Kohlendioxidausstoß um 12 Prozent senken. Ein Speichertransportsystem verbindet die Fabrik außerdem mit den Produktionsstätten Fab 3 und Fab 4. Die Fab 5 wurde durch Flash Forward finanziert, ein gemeinsames Unternehmen von Toshiba und Sandisk, das im September 2010 gegründet wurde. 50,1 Prozent der Anteile sind im Besitz von Toshiba, 49,9 Prozent liegen bei Sandisk. Im Dezember 2009 wurde berichtet, dass Toshiba 1,54 Milliarden Euro in den Ausbau seiner NAND-Flash-Produktion stecken werde.

Marktforschungsfirmen wie IHS iSuppli gehen davon aus, der der bei NAND-Chips ohnehin aufgeheizte Wettbewerb zwischen Marktführer Samsung und dem Zweitplatzierten Toshiba, der von den Marktanteilen nur wenige Prozente dahinterliegt, mit der Neueröffnung von Fab 5 in Japan bzw. Line-16 in Korea weiter an Schärfe zunehmen wird.