Infineon und Panasonic Dual-Sourcing für selbstsperrende 600-V-GaN-Bausteine

Infineon und Panasonic haben vereinbart, gemeinsam GaN-Bausteine zu entwickeln, die auf dem Technologie von Panasonic basieren und in ein SMD-Gehäuse von Infineon integriert werden. Zusätzlich hat Panasonic eine Lizenz für die selbstsperrende GaN-Transistorstruktur an Infineon vergeben.

Sowohl Infineon Technologies als auch Panasonic können nun auf Grundlage der Vereinbarung leistungsfähige Galliumnitrid-Bausteine herstellen. Kunden profitieren damit von zwei möglichen Lieferquellen für GaN-Leistungsschalter in einem kompatiblen Gehäuse: eine Möglichkeit, die es bislang für keinen anderen GaN-auf-Silizium-Baustein gab. Die Partner haben sich darauf verständigt, keine weiteren Vertragsdetails zu veröffentlichen. Muster eines 70-mΩ-Bausteins mit 600 V Sperrspannung in einem DSO-Gehäuse (Dual Small Outline) wollen die Unternehmen erstmalig auf der APEC vorstellen, die vom 15. bis 19. März 2015 in Charlotte, North Carolina, USA, stattfindet.

Einem Marktforschungsbericht von IHS zufolge wird der Markt für auf GaN-auf-Silizium basierende Leistungshalbleiter voraussichtlich mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von mehr als 50 Prozent ansteigen. Das Volumen, das 2014 laut IHS bei 15 Millionen US-Dollar lag, würde damit bis zum Jahre 2023 auf 800 Millionen US-Dollar zulegen.

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