Dr. Steffen Metzger, Infineon Technologies

Mitte Februar 2020 hat Infineon seine Siliziumkarbid-MOSFETs nach unten mit einer Serie von 650 V erweitert. Wir fragten Dr. Steffen Metzger, Senior Director High Voltage Conversion, warum sich Infineon entschlossen hat, seine CoolSiC-Familie nach unten zu erweitern und wie das Unternehmen diese Technologie zu den konkurrierenden Technologien Superjunction-MOSFETs und Galliumnitrid-HEMTs abgrenzt.

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