Winbond

64-Mb-NOR-Flash-ICs für Consumer-Produkte

23. März 2022, 7:42 Uhr | Heinz Arnold

Mit einer 64-Mb-Version erhöht Winbond die Speicherkapazität der neuen 1,2-V-SPI-NOR-Flash-Familie für die neue Generation drahtloser Consumer-Produkte.

Als erster Hersteller von Flash-Speichern hat Winbond den 1,2-V-SPI NOR-Flash-Baustein vom Typ »W25Q64NE« mit 64 Mb Speicherkapazität vorgestellt, der sich für einen erweiterten Betriebsspannungs-Bereich von 1,14 V bis 1,6 V eignet und damit zum Ausgangsspannungs-Profil einer einzelnen AA-Alkalibatterie passt. Mit der Erweiterung der 1,2-V-NOR-Flash-Familie durch eine Version mit 64 Mb Speicherkapazität berücksichtigt Winbond die Anforderungen intelligenter Geräte, die mehr Codespeicher benötigen.

Gegenüber entsprechenden 1,8 V Bausteinen reduzieren die 1,2 V Versionen von Winbond die Leistungsaufnahme im aktiven Modus um ein Drittel. Weil rund 99 Prozent des Stromverbrauchs von Mobilgeräten und Wearables auf den aktiven Modus entfallen, haben die Hersteller von Geräten mit sehr kleinen Batterien mit den 1,2 V NOR-Flash-Speichern von Winbond die Möglichkeit, die Ladeintervalle zu verlängern. Mit seiner großen Speicherkapazität und seiner geringen Stromaufnahme eignet sich der »W25Q64NE« für die neueste Generation intelligenter Wearables und Mobilgeräte, beispielsweise für True-Wireless-Kopfhörer und Fitness-Armbänder.

Im aktiven Read-Modus und bei einer Taktfrequenz von 50 MHz resultiert die 4 mA betragende Stromaufnahme eines 1,8-V-SPI-Bausteins in einer Leistungsaufnahme von 7.2 mW. Wird derselbe Strom im Read-Modus bei einer Betriebsspannung von 1,2 V und ebenfalls bei 50 MHz aufgenommen, beläuft sich die Leistungsaufnahme des »W25Q64NE« auf nur mehr 4.8 mW, sodass der Ersatz eines 1,8 V Flash-Speichers durch eine 1,2 V Version die Leistungsaufnahme direkt um 33 Prozent senkt.

Pegelumsetzer entfallen

Abgesehen von der Leistungsersparnis bietet ein neues Systemdesign eine Reihe weiterer Pluspunkte. Mit der Umstellung des SoC-Prozesses auf eine fortschrittlichere Technologie wird die I/O-Spannung von SoCs der neuen Generation auf weniger als 1,8 V abgesenkt, so dass für die Verbindung mit einem traditionellen 1,8-V- oder 3-V-SPI-Flash ein entsprechender Pegelumsetzer erforderlich ist. Dies jedoch verursacht zusätzliche Kosten und macht das Systemdesign komplexer. Kommt dagegen ein 1,2-V- Flash-Speicher zum Einsatz, kann das SoC direkt und ohne Pegelwandlung an das SPI-Flash angeschlossen werden, was die Materialkosten und die Leiterplattenfläche entsprechend verringert. So können die Vorteile der 1,2-V-Flash-Speicher insgesamt eine Optimierung des Systemdesigns und der Kosten bewirken.

Das standardmäßige SPI-NOR-Interface zeichnet sich durch gute Performance bei einer maximalen Datenübertragungsrate von 42 MB/s aus. Seine flexible Architektur besteht aus 4-KB-Sektoren mit einheitlichen Sektor- und Blocklöschfunktionen.

Der »W25Q64NE« wird ab sofort bemustert und ist in kompakten Gehäuseformaten wie etwa USON8-3x4 und WLCSP und mit industriestandardgemäßen Anschlussbelegungen erhältlich.