Schwerpunkte

Power-Highlights der electronica 2020

19. November 2020,  6 Bilder

Toshiba 1200 V SiC MOSFET
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Toshiba

Der virtuelle electronica-Stand von Toshiba konzentrierte sich auf die Entwicklung von Stromversorgungssystemen in Industrie- und Automotive-Anwendungen.

Eines der Highlights war dabei Toshibas neuer 1200V-Siliziumkarbid-(SiC-) MOSFET für industrielle Hochleistungsanwendungen. Der Baustein basiert auf der zweiten Generation von Toshibas SiC-Architektur und sorgt für einen zuverlässigeren Betrieb. Im Vergleich zu Toshibas bestehenden 1200V-Si-IGBTs reduziert der neue SiC-MOSFET die Ausschaltverluste um bis zu 80 %; die Schaltzeit um bis zu 70 % und bietet gleichzeitig eine niedrige Durchlassnung mit einem Drain-Strom (ID) von 20A.

Aus der UMOS X-Serie wurden zwei neue N-Kanal MOSFETs mit 80 V vorgestellt. Die Bauteile TPH2R408QM und TPN19008QM sollen die Stromversorgungseffizienz weiter erhöhen, sie basieren auf Toshibas U-MOSX-H-Prozess und sind bis 176° einsetzbar. Die electronica-Highlights bieten einen extrem niedrigen Rds(on) bei sehr kleinem Formfaktor und damit verbundene, niedrige Figure of Merit (FOM) Rds(on) x Q(oss) und Rds(on) x Q(sw). Entwickler können mit weniger Leitungsverlust, hocheffizientem Schalten und mehr thermischen Spielraum arbeiten, die höhere Leistungsdichte soll die Systemkosten deutlich reduzieren.

In den Chat-Räumen von Toshiba wurden Fragen von Entwicklern persönlich von den jeweiligen Experten beantwortet: etwa wie sich die Zuverlässigkeit eines Power-Systems erhöhen lässt; mit welchen Architekturen sich die Baugröße und das Gewicht verringern lassen; wie sich das Wärmemanagement handhaben lässt; und wie die Umstellung auf 48V erfolgen soll.

Neben der persönlichen Beratung war es Toshiba in diesem Jahr vor allem wichtig, sein Engagement in dem trotz Corona-Krise und wirtschaftlichen Turbulenzen wachsenden Leistungselektronik-Markt zu unterstreichen. Die Leistungshalbleiter des japanischen Unternehmens sollen auf einer noch feineren Lithografie und auf kleineren und zuverlässigeren Gehäusen basieren und so dem technologischen Trend nach mehr Leistung auf immer kleineren Bauräumen und einem weiter steigenden Wirkungsgrad entsprechen.