Von SiC und GaN E-Mobility und 5G als Treiber

Gregg Lowe, Cree

»Marktstudien gehen davon aus, dass, wenn allein 20 Prozent der neu zugelassenen Fahrzeuge 2030 Elektrofahrzeuge sind, das einen SiC-Weltmarkt von mehreren Milliarden Dollar bedeutet.«
Gregg Lowe, Cree »Marktstudien gehen davon aus, dass, wenn allein 20 Prozent der neu zugelassenen Fahrzeuge 2030 Elektrofahrzeuge sind, das einen SiC-Weltmarkt von mehreren Milliarden Dollar bedeutet.«

Weltweit wird in den Ausbau der SiC-Fertigung investiert. Nachdem inzwischen fast alle Hersteller ihre Fertigung von 4- auf 6-Zoll-Wafer umgestellt haben, kündigt Cree an, abhängig von der Nachfrage wohl bereits in der ersten Hälfte des nächsten Jahrzehnts SiC auf 8-Zoll-Wafern zu produzieren.

Wenn es in den letzten Jahren um Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter wie SiC oder GaN ging, dann war meist von einem Versprechen an die Zukunft die Rede. Natürlich gab es die realen Applikationen wie Solarinverter, Hochleistungs-Stromversorgungen, Plug-in-Hybrid-Ladegeräte oder Lidar und sicher noch eine Reihe anderer Anwendungen. Aber wirkliche Massenstückzahlen im klassischen Sinn dürften bisher noch mit keiner dieser Applikationen verbunden gewesen sein.

Das könnte sich in Zukunft ändern, und dafür verantwortlich sein werden wohl vor allem der weltweite E-Mobility-Trend und der bevorstehende weltweite Rollout von 5G. Am deutlichsten manifestierte sich diese Entwicklung Anfang Mai dieses Jahres auf der PCIM. Gregg Lowe, CEO von Cree, nutzte die Messe, um dort bekannt zu geben, dass sein Unternehmen in den nächsten Jahren in Summe eine Milliarde Dollar in den Ausbau der SiC-Produktionskapazitäten investieren wird. In Summe gilt das für die Materialfertigung (450 Millionen Dollar) und die Komponentenfertigung (450 Millionen Dollar). Weitere 100 Millionen Dollar fließen in strukturelle und organisatorische Maßnahmen, die notwendig sind, um das SiC-Geschäft in Zukunft deutlich auszubauen. Im Rahmen dieser Initiative baut Cree auch eine neue Fertigung, die ab Mitte 2021 erst mit 150-mm-Wafern in Produktion gehen wird, um die Produktion in den Folgejahren, entsprechend der Nachfrage, auf 200-mm-Wafer umzustellen.

Da passt es ins Bild, dass kurz nach der PCIM bekannt wurde, dass Cree in Zukunft exklusiver SiC-Partner der „Future Automotive Supply Tracks“-Initiative der VW-Gruppe ist. VW hatte in der Vergangenheit angekündigt, in den kommenden zehn Jahren rund 70 neue Elek­trofahrzeuge auf den Markt zu bringen. In Summe will die VW-Gruppe in den nächsten zehn Jahren 22 Millionen Elektrofahrzeuge herstellen. »Die Partnerschaft mit Cree wird es der VW-Gruppe ermöglichen, die Vorteile von Wolfspeed-Siliziumkarbid zu nutzen, um längere Fahrstrecken, kürzere Ladezeiten und eine verbesserte Effizienz der Energiewandlung zu ermöglichen«, erläutert Cree-Chef Lowe.

Dr. Peter Wawer, Präsident der Division Industrial Power Control bei Infineon Technologies, hatte noch auf der PCIM 2019 in Nürnberg die Pläne von Cree zum Kapazitätsausbau begrüßt: »Die Ankündigung dieses Kapazitätsausbaus wird in Zukunft zu sinkenden Preisen im SiC-Bereich beitragen.« Infineon Technologies, ein langjähriger SiC-Wafer-Kunde von Cree, hatte erst im letzten Jahr einen weiteren, langfristigen Liefervertrag mit Cree unterzeichnet. Die zukünftig höhere Verfügbarkeit hochqualitativer Wafer kommt Infineon bei seinen eigenen SiC-Plänen sehr zugute.