Von SiC und GaN E-Mobility und 5G als Treiber

65 Prozent des Unternehmensumsatzes

Inzwischen sind rund 65 Prozent des Unternehmensumsatzes bei Infineon Technologies mit Power verbunden. Infineon bietet im Power-Bereich inzwischen ein komplettes Produktspektrum von klassischen Silizium-Leistungshalbleitern über SiC-Bauteile bis zu GaN-Lösungen an – ein Spektrum, das sonst nur noch On Semiconductor bieten kann. Infineon nutze die diesjährige PCIM, um Anfang Mai seine diskreten CoolSiC-Produkte mit 1200 V und 650 V in TO247-3/4- und D2PAK-7-Gehäusen vorzustellen.

Infineon wendet sich damit nach dem erfolgreichen Markteintritt mit SiC-Modullösungen nun Sweetspot-Applikationen für diskrete Bauelemente zu, wie Dr. Wawer erläutert: »Wir sehen hier Einsatzmöglichkeiten vor allem im Bereich Stromversorgungen, Ladevorrichtungen, PV-Inverter, Motorantriebe und Energiespeicherapplikationen.« An entsprechenden Bauelementen mit Automotive-Zulassung wird nach seinen Worten bereits gearbeitet. Auf den Markt kommen werden sie wohl 2020. In Zukunft, machte Dr. Wawer deutlich, könnte Infineon auch eine diskrete 900-V-CoolSiC-Version anbieten, die sich dann vor allem an Applikationen im Bereich Ladevorrichtungen wenden würde.

Mitsubishi Electric konzentriert sich im SiC-Bereich auch weiterhin auf Modullösungen für den Industrieelektronikmarkt. Als diskrete Bauelemente stellt Dr. Gourab Majumdar, Senior Fellow der Semiconductor & Device Group bei Mitsubishi Electric, denn auch nur 1200-V-SiC-Schottky-Dioden vor. Nach seinen Worten ist die Umstellung auf 6 Zoll in der Fertigung der SiC-MOSFETs bei Mitsubishi inzwischen abgeschlossen. Aktuell wird in den verschiedenen Spannungsklassen an der 2. Generation von SiC-MOSFETs bei Mitsubishi gearbeitet. Für GaN als Leistungshalbleiter sieht man bei Mitsubishi nach Auskunft von Dr. Majumdar weiterhin keinen Markt, »das kann sich aber in ein paar Jahren ändern«.

Bei On Semiconductor ist bislang nach Auskunft von Paul Klausner, Product Marketing Manager EMEA der Power Solutions Group, »aktuell noch die Industrieelektronik der größte Abnehmer von SiC-Lösungen, vor allem im 3- und 4-poligen TO247-Gehäuse, aber schon 2020/21 könnte das Pendel in Richtung Automotive ausschlagen«. Dieser Kundenkreis hat nach seinen Angaben auch ein gesteigertes Interesse an SiC-Lösungen in SMD-Gehäusen. Neben seinen diversen 1200-V-SiC-MOSFETs will das Unternehmen in Kürze auch ein 900-V-SiC-MOSFET auf den Markt bringen. Zielmarkt: Automotive.