GaN - Neue Materialien verdrängen Leistungshalbleiter aus Silizium

Bild 1. EpiGaN verwendet einen speziellen in situ Capping Layer aus SiN, der per MOCVD-Deposition auf die HEMT-Epi-Wafer aufgewachsen wird.
Bild 1. EpiGaN verwendet einen speziellen in situ Capping Layer aus SiN, der per MOCVD-Deposition auf die HEMT-Epi-Wafer aufgewachsen wird.