Power-FET für das Ku-Band

Toshiba hat einen Feld-Effekt-Transistor entwickelt, der bei einer Frequenz von 14,5 GHz eine Leistung von 65,4 W erreicht.

Der GaN-FET ist für das Ku-Frequenzband (12 bis 18 GHz) ausgelegt.

Bei der Arbeitsfrequenz von 14,5 GHz beträgt die lineare Verstärkung 8,2 dB, die Sättigungs-Leistung 65,4 W, die Drain-Spannung ist mit 30 V spezifiziert.

Der Transistor soll in Radar- und Satelliten-Basisstationen die Elektronenröhren ersetzen, die dort bisher verwendet werden.

Muster des Transistors soll es Ende dieses Jahres geben, die Massenfertigung startet im März 2008.