Osram Opto Semiconductors Infrarot-LED mit Wirkungsgrad-Rekord

Einen Wirkungsgrad von unglaublichen 72 Prozent erreichte der Prototyp eines infraroten Dünnfilmchips von Osram Opto Semiconductors. Außerdem liegt seine Lichtleistung mit 930 Milliwatt bei 1 Ampere Betriebsstrom im Laboraufbau um 25 Prozent über der Lichtleistung derzeit am Markt verfügbarer Varianten.

Gemessen wurde bei Raumtemperatur und einem Gleichstrombetrieb bis 1 Ampere. Mit einer Wellenlänge von 850 Nanometern zielt der Chip vor allem auf einen Einsatz in Infrarot Beleuchtungsanwendungen. Einem Meilenstein gleich kommen die Entwicklungsergebnisse aus den Regensburger Laboren von Osram Opto Semiconductors: Der  Prototyp eines 1-mm2-Chips in infraroter Dünnfilm-Chiptechnologie erreicht bei einem Betriebsstrom von 100 Milliampere einen Wirkungsgrad von 72 Prozent. Der Wirkungsgrad, oder Wall Plug Efficiency (WPE), bezeichnet dabei die erhaltene Strahlungsleistung im Verhältnis zur eingesetzten elektrischen Leistung.

Die externe Quanteneffizienz (EQE) – die Wahrscheinlichkeit der Erzeugung eines Photons und dessen Auskopplung aus dem LED Chip pro Elektron -- beträgt bis zu 67 Prozent und bleibt auch bis zu 1 Ampere Betriebsstrom über 64 Prozent. Die Wellenlänge des Chip-Prototyps von 850 Nanometern ist perfekt abgestimmt auf die Infrarot-Beleuchtung, vor allem für Überwachungsaufgaben und CCTV-Kameras. Hinzu kommen sicherheitsrelevante Anwendungen im Automobilbereich, wie Precrash-Sensoren oder Beleuchtungsquellen für Nachtsichtgeräte. Die Ergebnisse der Entwicklungsarbeit werden nun Schritt für Schritt umgesetzt, die Serienreife des neuen Chips wird Anfang bis Mitte nächsten Jahres erwartet.