Iddq – Fehlersuche mit der Messung von Ruheströmen Chip-Defekten auf der Spur

Leckströme bei schrumpfenden Strukturen

Mit dem Übergang auf kleinere Strukturen sperren die FETs nun nicht mehr vollständig. Der Ruhestrom steigt mit kleineren Strukturgrößen stark an, genauer: exponentiell mit dem Kehrwert der Kanallänge. Selbst die kleinen Variationen in der Kanallänge von Los (Batch) zu Los führen dazu, dass der Iddq bei verschiedenen Losen eines IC-Typs stark unterschiedlich ist – in 90-nm-Prozessen kann dies leicht der Faktor 100 sein.