Kombinationen von Hochvolt-, Hochtemperatur- und nichtflüchtigen Speicherelementen X-FAB: 0,18 µm jetzt bis 175 °C

X-FAB Silicon Foundries erweitert den Einsatzbereich der XH018-Technologiefamilie für Anwendungen im Temperaturbereich bis 175 °C.

X FAB bietet damit die weltweit erste und einzige 0,18-µm-Plattform mit Hochtemperatur- (HT), Hochvolt- (HV) und nichtflüchtigen (NVM) Speicheroptionen. Mit dieser Erweiterung werden 13 neue Schaltungselemente hinzugefügt, darunter mehrere HV-Transistoren mit verbessertem Einschaltwiderstand, symmetrische HV-Transistoren und neue Strukturen zum Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD).

Das aktualisierte Prozess-Designkit (PDK) kann online von X-FABs technischer Informationsdatenbank X-TIC heruntergeladen werden. Weiterhin steht eine vollständige GSA-Modelldokumentation zur Verfügung. Die PDK-Unterstützung beinhaltet Bibliotheken von Schaltungselementen für Cadence 6.1 sowie exakte Schaltungsmodelle für die wichtigsten SPICE-Simulationsprogramme. Zusätzlich zum ESD-Schutz sind Leitlinien zur Vermeidung von Latch-up-Effekten verfügbar, die helfen, Kurzschlüsse in kritischen Designs zu verhindern. Auf der Online-Plattform X-TIC bietet X-FAB außerdem Spezifikationen zur Prozesszuverlässigkeit, einschließlich Spezifikationen zum optimalen Arbeitsbereich (SOA) und Informationen zum Alterungsverhalten der Schaltungselemente.