Rohm und GaN Systems Strategische Partnerschaft

Mit der Kombination der GaN-Techniken beider Unternehmen, wollen es Rohm und GaN Systems den Anwendern ermöglichen, effizientere, kleinere und leichtere Systeme aufzubauen.
Mit der Kombination der GaN-Techniken beider Unternehmen, wollen es Rohm und GaN Systems den Anwendern ermöglichen, effizientere, kleinere und leichtere Systeme aufzubauen.

Rohm und GaN Systems entwickeln im Rahmen einer strategischen Partnerschaft gemeinsam form- und funktionskompatible Leistungshalbleiter.

Diese Leistungshalbleiter werden sowohl in den GaNPX-Gehäusen von GaN Systems als auch in den herkömmlichen Gehäusen von Rohm sitzen. Damit können die Anwender gehäusekompatible GaN-Kompomnenten aus zwei Quellen zur beziehen.  

Die Kunden würden laut Rohm und GaN Systems zudem vom besseren Zugang zu GaN-Produkten und -Ressourcen weltweit profitieren, insbesondere in Asien, einem der am schnellsten wachsenden Märkte für GaN.

Darüber hinaus werden GaN Systems und ROHM in der Forschung und Entwicklung von GaN-Halbleitern kooperieren, um energiesparendere Bauelemente mit höheren Leistungsdichten als bisher zu entwickeln. Beide Firmen wollen das Angebot au GaN-Produkten laufend ausbauen.  

»Diese Partnerschaft zeigt, wie wichtig GaN für ein vollständiges Leistungselektronikangebot geworden ist«, erklärt Jim Witham, CEO von GaN Systems. »Wir wollen es den Anwendern ermöglichen, über die Kombination unserer gemeinsamen GaN-Expertise leistungsfähigere, effizientere, kleinere und leichtere Systeme aufzubauen.«

»Wir sehen den die Leistungselektronik als Wachstumsmarkt und setzen sowohl auf die Siliziumkarbid- auch auf die GaN-Technik, um die Leistungskomponenten der nächsten Generationen zu entwickeln und auf den Markt zu bringen«, sagte Katsumi Azuma, Senior Managing Director von Rohm Semiconductor.