Offensive in Sachen Wideband-Gap ST gibt Vollgas

Jean-Marc Chery, STMicroelectronics: »Wir haben ein starkes Momentum im SiC-Bereich aufgebaut; die Übernahme der Mehrheit an Exagan ist ein weiterer Schritt, unsere technologische Führerschaft im Leistungshalbleiterbereich zu stärken und unsere GaN-Roadmap voranzubringen.«

Mit massiven Investitionen in seine SiC- und GaN-Produktionskapazitäten will STMicroelectronics sich bis 2025 eine führende Position auf dem Weltmarkt sichern.

Allein im SiC-Segment will das Unternehmen seinen Umsatz von über 100 Millionen Dollar im Jahr 2018 (2019 lag er bereits bei über 200 Millionen Dollar) bis 2025 auf über 1 Milliarde Dollar steigern. Nach Darstellung von Jean-Marc Chery, President und CEO von STMicroelectronics, strebt das Unternehmen in fünf Jahren einen Marktanteil von über 30 Prozent an. Ähnlich ambitioniert sind STs Pläne im GaN-Bereich. Auch dort will sich das Unternehmen in den nächsten Jahren eine führende Stellung sichern, auch wenn sich der Weg zu diesem Ziel von der eingeschlagenen Strategie bei SiC unterscheidet.

ST ist in puncto SiC wahrlich kein Latecomer. Bereits seit Oktober 2007 produziert das Unternehmen SiC-Dioden in Catania, und seit September 2014 SiC-MOSFETs. Darüber hinaus ist ST nach eigener Darstellung bislang der einzige Halbleiterhersteller, der SiC-Leistungshalbleiter mit Automotive-Zulassung in Serie produziert. Treibender Motor für die Expansionspläne dürfte auch die Tatsache sein, dass ST den Elektrofahrzeug-Pionier Tesla beliefert. Nach Einschätzung von Marktanalysten dürfte ST inzwischen nach Cree/Wolfspeed Nummer 2 am Markt sein, noch vor Rohm Semiconductor und Infineon Technologies. Zu den Unternehmen, die in diesem Bereich derzeit am schnellsten aufholen, gehört für die Marktforscher On Semiconductor.

Neben Tesla beliefert ST, wie letzten September bekannt gegeben wurde, auch Renault-Nissan-Mitsubishi mit entsprechenden SiC-Lösungen Auch bei den Mitgliedern der französisch-japanischen Automobilallianz geht es darum, mit SiC-Bauteilen leistungsfähige Onboard-Ladegeräte zu entwickeln und einzusetzen. Zu den weiteren Namen auf der Kundenliste aus dem Automobilbereich gehört der koreanische Hersteller Hyundai Kia Motor Company. In Summe benennt ST derzeit 51 SiC-Projekte mit 26 Kunden. Dabei geht es konkret um 27 Projekte mit 15 Automotive-Kunden und 24 Industrieelektronikprojekte mit elf Kunden aus diesem Bereich.

Von der Patentseite her ist ST im SiC-Bereich gut aufgestellt, das Unternehmen hält über 70 Patente. In puncto Wafer-Versorgung fährt das Unternehmen zweigleisig. So verlängerte ST erst im November letzten Jahres ein langjähriges Lieferabkommen mit Cree über die Lieferung von SiC-Roh- und -Epitaxial-Wafern und verdoppelte dessen Wert auf über 500 Millionen Dollar. Im Januar dieses Jahres gab ST dann bekannt, mit der zur Rohm-Gruppe gehörenden SiCrystal einen mehrjährigen Liefervertrag über 150-mm-SiC-Wafer im Wert von über 120 Millionen Dollar abgeschlossen zu haben.
Um auf einem Wachstumsfeld wie SiC in Zukunft unabhängiger von Wettbewerbern zu werden, verfolgt ST die Strategie einer vertikalen Integration. Vor diesem Hintergrund übernahm ST bereits im Februar 2019 eine Mehrheit am schwedischen SiC-Waferhersteller Norstel. Im ersten Schritt übernahm ST 55 Prozent der Anteile. Im Dezember 2019 gab ST dann bekannt, Norstel komplett übernommen zu haben, zu einem Preis von 137,5 Millionen Dollar.

Mit Norstel stärkt ST nicht nur seine Versorgung mit 150-mm-Roh- und Epitaxial-Wafern, sondern auch seine R&D-Bemühungen in Sachen 200-mm-SiC-Wafer. ST will zu 8-Zoll-Wafern übergehen, wenn der Markt dies erfordert. Da Cree/Wolfspeed ab 2021 entsprechende Pläne verfolgt, dürfte ST die Migration auf 8-Zoll-Wafer wohl in den kommenden zwei, drei Jahren vorantreiben.