Everspin Technologies Speicherrekord: MRAM-Chip mit 256 statt bislang 64 MBit

Um den Faktor 4 von 64 auf 256 MBit hat Everspin bei seinem ST-MRAM-IC EMD3D256M die Speicherdichte gesteigert.
Um den Faktor 4 von 64 auf 256 MBit hat Everspin bei seinem ST-MRAM-IC EMD3D256M die Speicherdichte gesteigert.

Lag bisher bei MRAM-Chips der Höchstwert bei 64 MBit, hat Everspin seinen Spitzenwert nun um den Faktor 4 auf 256 MBit erhöht. Ende des Jahres will der einzige Hersteller dieser nichtflüchtigen Speichertechnologie den Wert erneut vervierfachen auf dann 1 GBit.

Derzeit werden die globalen Kunden von Everspin mit dem 256-MBit-ST-MRAM-IC EMD3D256M bemustert, die Produktion in Stückzahlen ist geplant. Basis des hochkapazitiven Memory-Chips wird in der Volumenfertigung Everspins proprietäre pMTJ-ST-MRAM-Technologie (perpendicular magnetic tunnel junction spin torque) sein. Der 256-MBit-MRAM-Chip ist Everspins erster ST-MRAM-Baustein, der beim Partner Globalfoundries auf einem 300-mm-Wafer gefertigt wird.

In puncto Zugriffszeiten entspricht die Performance der von DDR3/DDR4-RAM-Chips, im Vergleich mit NAND-Flash ist die Schreibgeschwindigkeit 100.000-fach höher. Dafür haben die höchstkapazitiven 3D-NAND-Chips von Samsung und Toshiba mit 256 GBit das 1000-fache Speichervermögen.

Bislang hat Everspin mehr als 60 Millionen MRAM-Chips (diskrete und embedded) abgesetzt. Hauptmärkte sind Datencenter, Cloudspeicher, Automotive und Transport.