Samsung Electronics Roll-out der ersten 10-nm-Class-DDR4-DRAMs

Samsungs 10-nm-Class-DDR4-DRAM-Module haben Kapazitäten von bis zu 128 GByte für Enterprise-Server.
Samsungs 10-nm-Class-DDR4-DRAM-Module haben Kapazitäten von bis zu 128 GByte für Enterprise-Server.

Bei Samsung Electronics ist soeben die Volumenproduktion der industrieweit ersten 10-nm-Class-DDR4-DRAM-Chips mit 8 GBit und darauf basierender Module angelaufen. Anfängliche technische Probleme bei DRAM-Skalieren konnten mittels ArF-Immersions-Lithografie gemeistert werden.

Der koreanische Marktführer von Speicherbausteinen hat damit einen neuen Meilenstein gesetzt: 2014 hatte Samsung als erster Memory-Chip-Hersteller die Produktion von 20-nm-Class-DDR3-DRAM-ICs mit 4 GBit aufgenommen. Nun folgen also DDR4-DRAMs in 10-nm-Technologie, nachdem die technischen Herausforderungen durch den Einsatz aktuell verfügbarer ArF-Immersions-Lithografie (Argon Fluoride) ohne EUV-Equipment (Extreme Ultra Violet) gelöst werden konnten. 10-nm-Class ist ein Prozesstechnologie-Node zwischen 10 und 19 Nanometer, während 20-nm-Class für ein Prozesstechnologie-Node zwischen 20 und 29 Nanometer steht.

10-nm-DDR4-DRAM unterstützt eine Datenübertragungsrate von 3200 MBit/s und ist damit über 30 Prozent schneller als 20-nm-DDR4-DRAMs mit 2400 MBit/s. Ein weiterer Pluspunkt beim Shrinken ist der typischerweise geringere Energieverbrauch, der von Samsung mit 10 bis 20 Prozent beziffert wird. Mit dem Übergang zu den noch geringeren Strukturbreiten verbessert sich außerdem die Wafer-Produktivität um über 30 Prozent.

Die aus den DDR4-DRAMs resultierenden 10-nm-Class-DDR4-Module haben Kapazitäten von 4 GByte für Notebooks und bis zu 128 GByte für Enterprise-Server.

Auf Basis der neuen 10-nm-Class DDR4-DRAM-Technologie wird es laut Samsung überdies noch in diesem Jahr eine 10-nm-Class-Mobile-DDR4-DRAM-Lösung mit hoher Speicherdichte und Geschwindigkeit geben. Adressiert werden damit Ultra-HD-Smartphones.