Produktionsstart 2020 Rohm baut SiC-Fab in Japan

   SiC-Dioden erreichen höhere Schaltfrequenzen, weshalb kleinere Spulen und Kondensatoren Einsatz finden können. Das reduziert das Volumen und das Gewicht der Inverter. Links ist ein Inverter zu sehen, der auf Basis herkömmlicher Silizium-Dioden und -Transistoren aufgebaut ist. Der rechts zu sehende Inverter mit SiC-Komponenten ist deutlich kleiner und leichter.
SiC-Dioden erreichen höhere Schaltfrequenzen, weshalb kleinere Spulen und Kondensatoren Einsatz finden können. Das reduziert das Volumen und das Gewicht der Inverter. Links ist ein Inverter zu sehen, der auf Basis herkömmlicher Silizium-Dioden und -Transistoren aufgebaut ist. Der rechts zu sehende Inverter mit SiC-Komponenten ist deutlich kleiner und leichter.

2020 soll das neue Fertigungsgebäude die Produktion aufnehmen. Damit reagiert Rohm auf den steigenden Bedarf an SiC-Power-Komponenten.

Das neue dreistöckige Fertigungsgebäude baut Rohm auf dem Gelände des Apollo-Werks im japanischen Chikugo. Es wird die Produktionsfläche um rund 11.000 m² vergrößern. Die detaillierte Planung ist gerade angelaufen, der Bau soll im Februar 2019 beginnen und Ende 2020 abgeschlossen sein.

Siliziumkarbid (SiC) bietet gegenüber den herkömmlichen siliziumbasierten Leistungselektronik deutliche Vorteile: So zeichnen sich SiC-Wandler durch erheblich geringere Verluste als herkömmliche Wandler auf Silizium-Basis aus. Zudem ermöglicht es SiC gegenüber Silizium, deutlich kleinere Module und Systeme aufzubauen.

Die steigende Nachfrage nach möglichst energieeffizienten Geräten werde daher den Bedarf nach SiC-Komponenten laut Analysten in den nächsten Jahren ansteigen lassen. Sie erwarten, dass der weltweite SiC-Markt bis 2021 die 1-Milliarde-Dollar-Marke überschreiten wird. Den größten Anteil werde der Einsatz in der Energieversorgung einnehmen. Dazu gehören Spannungsstabilisatoren, Ladestationen für elektrische Fahrzeuge und das Stromnetz.

Doch auch die Hauptwechselrichter für elektrische Fahrzeuge stellen einen bedeutenden Teil des Marktpotentials für SiC-Bauteile dar. Welches Potemuzial die SiC-Technik im Automobilbereich bietet, zeigt Rohm auch mir dem Engagement in der Formel-E, wo das Unternehmen mit der neuen Technik das Venturi-Team unterstützt.

ROHM hat das Potential von SiC schon früh erkannt. 2010 startete ROHM die Massenproduktion von SiC-Power-Bauteilen, wie SiC-Schottky-Dioden und -MOSFETs. Rohm war auch der erste Anbieter, der vollständige SiC-Power-Module und SiC-Trench-MOSFETs produzierte. Daneben hat das Unternehmen in der gesamten Firmengruppe ein vertikal integriertes Produktionssystem eingeführt. Das bedeutet, dass das Unternehmen den gesamten Herstellungsprozess von den SiC-Wafern über die Bauteile bis zum Packaging selbst abdeckt.

Um sich künftig einen signifikanten Anteil im SiC-Markt zu sichern, wird Rohm die Produktionskapazität stark steigern. Dazu soll zum einen die Produktionseffizienz verbessert werden, indem die Wafer-Größe weiter gesteigert und das neueste Equipment eingesetzt wird. Zum anderen ist auch der Bau einer neuer Produktionslinien erforderlich.