25 Prozent Anteil bis 2023 Prozesse unter 10 nm wachsen am schnellsten

Die Anzahl der Wafer-Starts pro Monat in Abhängigkeit von den Strukturgrößen.
Die Anzahl der Wafer-Starts pro Monat in Abhängigkeit von den Strukturgrößen.

Prozesse mit Strukturgrößen unter 10 nm repräsentieren in diesem Jahr 5 Prozent der weltweiten Kapazität. Bis 2023 soll der Anteil auf 25 Prozent steigen.

Derzeit fertigen laut IC Insights nur zwei Firmen auf Basis von Prozessen unter 10 nm: Samsung und TSMC. Zudem bestehen in Südkorea, Taiwan und Japan große Kapazitäten für die Fertigung von ICs mit Hilfe von Prozessen mit Strukturgrößen zwischen 10 und 20 nm. Meist werden sie für die Produktion von NAND-Flash-ICs und DRAMs herangezogen, doch sie stehen auch für die Fertigung von Logik-ICs wie Applikationsprozessoren auf den 14-, 10- und 8/7-nm-Ebenen zur Verfügung. In Taiwan wird die Hälfte der Kapazität zwischen 10 und 20 nm von Foundries genutzt.

IC Insights bezeichnet alle Prozesse unter 28 nm als »Leading Edge«. Die größten Kapazitäten in dieser Kategorie bestehen in Südkorea, weil hier Samsung und SK Hynix beheimatet sind, die vor allem NAND-Flash-ICs und DRAMs fertigen. Die Fabs, die in China ICs mit Hilfe von Leading-Edge-Prozessen produzieren, gehören zu ausländischen Firmen wie Samsung, SK Hynix, Intel und TSMC.