IBM setzt Meilenstein bei Speicherdichte Phase Change Memory erstmals mit 3 Bit pro Zelle

Forschern von IBM ist es gelungen, bei nichtflüchtigem Phase Change Memory erstmals 3 Bit pro Zelle in einer Anordnung von 64.000 Zellen zu realisieren.
Forschern von IBM ist es gelungen, bei nichtflüchtigem Phase Change Memory erstmals 3 Bit pro Zelle in einer Anordnung von 64.000 Zellen zu realisieren.

Wissenschaftler von IBM Research in Rüschlikon bei Zürich haben mit der zuverlässigen Speicherung und Erhaltung von drei Datenbits pro Zelle einen neuen Meilenstein in der Entwicklung von Phasenwechselspeichern (Phase Change Memory) demonstriert.

Die Fähigkeit, drei Bits pro Zelle zu speichern, »ist ein wichtiger Meilenstein für PCM, denn bei dieser Speicherdichte liegen die Kosten für PCM deutlich unter denen von DRAM und viel näher an denen von Flash«, versichert Dr. Haris Pozidis, einer der Autoren und Manager der Non-Volatile Memory Forschungsgruppe bei IBM Research. PCM, also der Wechsel zwischen kristalliner und amorpher Phase, sei für die Speicherindustrie überdies von großem Interesse, weil der nichtflüchtige Speicher eine »attraktive Kombination von Lese- und Schreibgeschwindigkeit, Haltbarkeit und Speicherdichte bietet«.

Anlässlich des IEEE International Memory Workshop zeigten die IBM Forscher die Speicherung von drei Bits pro Zelle in einer Anordnung aus 64.000 Zellen und einer Ausdauerbelastung von einer Million Zyklen. Verwendet wurde ein experimenteller Multi-Bit-PCM-Chip, der mit einer integrierten Standard-Leiterplatte verbunden war. Der Chip besteht aus einer Anordnung von 2 x 2 Millionen Zellen, die in vier Bereiche unterteilt sind und auf die nacheinander durch die Systemarchitektur (interleaving architecture) zugegriffen wird. Die Speichereinheit ist 2 x 1000 μm x 800 μm groß. Die PCM-Zellen basieren auf einer dotierten Chalkogenid-Legierung und wurden auf einem Prototyp-Chip in 90-nm-CMOS-Baseline-Technologie integriert, der als Charakterisierungsplattform dient.