Toshiba Electronics Europe Neuer HF-SOI-Prozess verbessert HF-Schalter und LNAs

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Neuer Toshiba-Prozess verbessert die Rauschzahl von HF-Schaltern und rauscharmen Verstärkern für 5G- und WLAN-Anwendungen.

Toshiba Electronics Europe hat mit dem TaRF11 einen neuen HF-SOI-Prozess (Silicon On Insulator) entwickelt, mit dem sich die Leistungsmerkmale von HF-Schaltern/LNAs verbessern lässt.

Mobilgeräte wie Smartphones werden immer leistungsfähiger und arbeiten mit höheren Funkfrequenzen. Generell gilt aber, dass je höher die Frequenz ist, desto größer sind die Signalverluste zwischen Antenne und Empfangsschaltung. Dementsprechend steigt der Bedarf an verbesserten rauscharmen Verstärkern (LNA; Low Noise Amplifier), um die Qualität des empfangenen Signals durch Kompensation des Signalverlusts zu erhöhen.

Und das ist mit dem neuen Halbleiterfertigungsprozess (TaRF11) von Toshiba Electronics Europe möglich, mit dem sich im Vergleich zur gegenwärtigen SOI-Technik die HF-Eigenschaften von LNAs deutlich verbessern lassen: TaRF11-basierte MOSFETs für LNAs erzielen eine minimale Rauschzahl von 0,48 dB bei 8 GHz – eine Verbesserung um 0,3dB im Vergleich zu ähnlichen, im TaRF10-Prozess gefertigten Bausteinen. Wie bei TaRF10 ermöglicht der TaRF11-Prozess die Fertigung von LNA, HF-Schalter und Steuerschaltung auf einem einzigen Chip.

Toshiba wird seine TaRF-Prozesstechnik auch zukünftig weiterentwickeln, um den Marktanforderungen gerecht zu werden. Darunter fällt auch der im Smartphone-Bereich geplante Wechsel von 5 auf 7 GHz. Darüber hinaus plant Toshiba auch die Entwicklung von Bausteinen für das Ultrabreitband (UWB) mit 7 bis 10 GHz im TaRFSOI-Verfahren.