Flash-IC-Markt NAND-Preise sinken weiter

Die Fab in Yokkaichi, wo Toshiba und Western Digital ein neues Entwicklungszentrum für 3D-NAND-Flash-Speicher eröffnet haben. Mit dem Verkauf von Toshiba Memory kann es noch dauern.
Die Fab von Toshiba in Yokkaichi. Das Erdbeben vom 18. Juni 2018 hatte kam Auswirkungen, die Fab arbeitet normal weiter. Insgesamt werden die Preise für NAND-Flash-ICs im zweiten Halbjahr 2018 laut DRAMeXchange sinken.

Die Preise für NAND-Flash-Speicher werden laut DRAMeXchange im zweiten Halbjahr 2018 zumindest nicht steigen.

Der Ausbau der Produktionskapazitäten und verbesserte Ausbeuten insbesondere für NAND-Flash-ICs mit 64 und 72 Layern habe zu einem Gleichgewicht zwischen Angebot und Nachfrage geführt. Schon über das erste und zweite Quartal 2018 seien die Preise gesunken, weil das höhere Angebot auf die saisonal bedingt niedrigere Nachfrage stieß. Obwohl die Hersteller jetzt die Produktionen nicht mehr nennenswert ausbauen wollen, werde die höhere Nachfrage im dritten Quartal kaum dazu führen, dass die Vertragspreise stiegen. Die Stückzahlen von Smartphones und Notebooks werden in diesem Zeitraum eher konstant bleiben, nur Notebooks würden um 9 bis 10 Prozent zulegen.    

Die Hersteller dieser Geräte hätten schon die niedrigeren Preise für NAND-ICs hoher Kapazitäten in den vergangenen Quartalen dazu genutzt, ihre Endgeräte mit größeren Speicherkapazitäten auszustatten und damit für das Jahresendgeschäft gerüstet zu sein. Weil die Notebooks weiterhin verhalten nachgefragt werden, auf dem Smartphone-Markt kaum neue Typen mit signifikant steigendem Speicherbedarf auf den Markt kommen werden und der Ersatzmarkt ebenfalls nicht nennenswert wachse, stünden die Zeichen weiter auf sinkende Preise. Die Steigerung der Ausbeute, die auf der 64/72-Layer-Ebene die 80-Prozentmarke laut DRAMeXchange überschreiten werde, könnte sogar im vierten Quartal zu einem stärkeren Preisverfall führen. Vieles hänge davon ab, wie sich die neuen iPhone-Typen verkaufen werden. Bei starker Nachfrage würde der Preisrückgang moderater ausfallen.

Das Erdbeben der Stärke 6,1 in Osaka am 18. Juni habe auf die Fab in Yokkaichi, in der Toshiba NAND-Flash-ICs fertigt, nur geringe Auswirkungen gehabt, es hätte keine nennenswerten Ausfälle gegeben und das habe kurz darauf den normalen Betreib wieder aufgenommen.