Breites Spektrum an Speichertechnologien von RAM bis Flash Microns neue »Broadline«-Strategie

Kevin Kilbuck
Kevin Kilbuck

Micron sieht sich als der neue Allrounder am Speichermarkt. Mit einem breiten Produktportfolio will sich das Unternehmen von den starken Schwankungen am Speichermarkt befreien. Das betont Kevin Kilbuck, Director Strategic Marketing von Micron, im Interview.

Markt&Technik: Die Zahl der Hersteller, die Speicher-ICs in großen Volumen produzieren, ist in den letzten Jahren deutlich kleiner geworden. Und dennoch: Der Markt unterliegt weiterhin heftigen Schwankungen, geprägt durch Engpässe oder Überangebot. Haben Sie dafür eine Erklärung?

Kevin Kilbuck, Micron: Ja, diese ausgeprägten Schwankungen hängen damit zusammen, dass der Bedarf an Speicher-ICs am Markt weiterhin zunimmt, vor allem gemessen in Bit. Von Seiten der Hersteller ist es jedoch nicht möglich, das Angebot in nur kleinen Schritten zu erhöhen. Denn der Preis für eine moderne Halbleiterfabrik für Speicher-ICs liegt heute im Milliarden-Dollar-Bereich. Das macht es unmöglich, Angebot und Nachfrage exakt aufeinander abzustimmen. Die Zyklen werden also auch trotz der Konsolidierung am Markt weiterhin auftreten.Durch unsere Strategie, auf ein sehr breites Produktprogramm zu setzen, können wir jedoch besser als jeder andere Speicherhersteller diese Marktgegebenheiten überstehen.

Seit der Übernahme von Numonyx ist Micron nicht nur ein großer Hersteller von DRAMs und NAND-Flash-ICs, sondern auch von NOR-Flash-Speichern. Warum ist es Micron so wichtig, alle drei Speichertechnologien im Haus weiterzuentwickeln?

Viele unserer Kunden setzen DRAMs, NAND-ICs und NOR-Flash-Bausteine gemeinsam in einer Applikation ein - und arbeiten daher auch gerne mit Herstellern zusammen, die all diese Speichertypen aus einer Hand anbieten können. Durch unser breites Produktangebot fällt es uns zudem leichter, die Zusammenhänge bei der Einführung neuer Technologien, wie der Phase-Change-Speichertechnologie, zu verstehen.

Ist es möglich, Know-how zum Beispiel aus dem Flash-Segment direkt auf den DRAM-Bereich zu übertragen?

Ein Beispiel dafür ist die Prozesstechnologie. Unsere NAND-Flash-Bausteine basieren auf 25-nm-Strukturen. Die Lernkurve, die wir bei der Flash-Skalierung bis hin zu dieser Größenordnung durchschritten haben, soll uns bei der Einführung der nächsten Fertigungsgenerationen bei DRAMs und NOR-Flash helfen.

Funktioniert das auch andersherum? Welche Erkenntnisse im Bereich der DRAMs können Sie auf die Flash-Technologie übertragen?

Derzeit wird am Markt zum Beispiel darüber diskutiert, ob eine 3D-NAND-Zelle den nächsten technologischen Durchbruch für die Flash-Technologie darstellen könnte. Sollte das der Fall sein, können wir unsere Erfahrungen mit der bewährten 3D-DRAM-Tedchnologie von Micron einbringen.

Vor einem Jahr hat Micron die Firma Numonyx übernommen, einem Speicher-Joint-Venture von Intel und ST Microelectronics. Wie geht der Integrationsprozess voran?

Die Integration macht gute Fortschritte und gewinnt momentan deutlich an Dynamik. Unsere Kunden erkennen den Vorteil in den zusätzlichen Produkten und Technologien, so dass sie begeistert mit uns zusammenarbeiten. Auf der anderen Seite haben wir natürlich noch viel Arbeit vor uns, um die Synergien voll ausschöpfen zu können.

Welche weiteren Investitionen – neben der Übernahme von Numonyx – hat Micron in jüngster Zeit getätigt?

Wir haben im Jahr 2010 damit begonnen, unsere »IM Flash«-Fabrik in Singapur mit den entsprechenden Maschinen auszurüsten. In diesem Jahr werden wir die Produktion des NAND-Flash-Werks starten. Insgesamt wird das Werk bei voller Auslastung eine Kapazität in der Größenordnung von 100k/Monat haben. Unser Zeitplan sieht vor, bis zum Ende des Kalenderjahres 2011 rund die Hälfte bis zwei Drittel der Maximalauslastung zu erreichen. Entscheidungen, eine Fertigungskapazität darüber hinaus anzustreben, machen wir dann von den Markbedingungen abhängig.

Micron hat zu Beginn des Jahres einen neuartigen Flash-Speicher vorgestellt, den so genannten »ClearNAND« mit integrierten Fehlermanagementfunktionen im Chip-Package. Welchen Stellenwert hat dieser neue Speicher-Typ innerhalb des Produktportfolios von Micron?

Wir erwarten, dass diese Speicherlösung in den nächsten Jahren stark an Akzeptanz gewinnt; daher spielt ClearNAND auch eine entscheidende Rolle bei unserer NAND-Flash-Strategie.

Was ist das besondere an dieser neuen Generation von NAND-Flash-Speichern?

Bislang hat es die Speicher-Industrie den Kunden aufgebürdet, sich intensiv mit der Fehlerkorrektur auseinanderzusetzen. Diese Fehlermanagementfunktionen sind nahezu ausschließlich mit der NAND-Technologie gekoppelt, so dass sich die Kunden jetzt auf die Entwicklung ihrer Designs fokussieren können, weitgehend unabhängig von den Skalierungsprozessen bei NAND-ICs.

Welche Bausteine wollen Sie mit den ClearNAND-Produkten ersetzen?

ClearNAND ist keine Alternative zu einem bestimmten Speicherprodukt. Das Konzept zielt darauf ab, das Zukunftspotenzial der NAND-Technologie in typischen Applikationen wie tragbaren Media-Playern, Tablet-PCs und Enterprise Servern zu erhöhen.Der Erfolg der NAND-Technologie in den vergangenen Jahren ist darauf begründet, dass sich die Technologie in punkto Skalierung sehr schnell weiterentwickelt hat. Dadurch konnten die Hersteller höhere Speicherkapazitäten zu niedrigeren Preisen anbieten. Doch je kleiner die Geometrien werden, desto schwieriger erweist sich das Flashmanagement in Bezug auf ECC oder andere Fehlermanagementfunktionen. Bei ClearNAND werden die entscheidenden Technologien zur Fehlerkorrektur nun in einem kleinen ASIC ausgeführt, dass sich zusammen mit den NAND-Flash-Komponenten in einem Package befindet.

Das Interview führte Corinna Puhlmann-Hespen