Heraeus Kupfer-Bondbändchen für SiC-Module

In Tests zeigen Kupferbändchen eine zehn- bis zwanzigfach längere Lebensdauer als vergleichbare Produkte aus Aluminium, bei zeitgleich erhöhter Energiedichte im Modul.

Die neuen Kupfer-Bondbändchen von Heraeus ermöglichen es, Leistungsmodule zuverlässiger, wirkungsvoller und kostengünstiger zu designen und herzustellen als mit Aluminiumbändchen.

Die neuen Kupfer-Bondbändchen vom Typ »PowerCuSoft Ribbon« hat Heraeus Electronics auf die Oberflächenkontaktierung von Leistungshalbleitern mit breitem Bandabstand (Wide Bandgap Semiconductors) auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) optimiert. Mit dieser Bondbändchen-Generation wird es möglich, das Potential der SiC-Chips voll auszuschöpfen.
 
20fach länger Lebensdauer als Aluminium

Kupfer bietet bessere thermische, elektrische und mechanische Eigenschaften im Vergleich zu Aluminiumdrähten und -bändchen. Das Material erwärmt sich weniger als Aluminium und kann höhere Modultemperaturen aushalten – das verbessert die Lebensdauer und Zuverlässigkeit von Leistungsmodulen. »PowerCuSoft Ribbon« hält Modultemperaturen von bis zu 250 °C aus. In Tests zeigen Kupferbändchen eine zehn- bis zwanzigfach längere Lebensdauer als vergleichbare Produkte aus Aluminium, bei zeitgleich erhöhter Energiedichte im Modul.

»SiC-Halbleiter erreichen eine hohe Leistungsdichte. Um die Vorteile dieser Produkte nutzen zu können, brauchen Modul-Hersteller leistungsstarke Aufbau- und Verbindungstechniken«, sagt Christian Kersting, Product Manager Power Bonding Wires von Heraeus Electronics.

Höhere Produktivität

Im Vergleich zu Kupferdrähten bieten Bändchen zudem Kostenvorteile, weil ein Band mehrere Kupferdrähte ersetzt. Hersteller sind so im Stande, bei steigendem Output die Herstellkosten pro Modul zu optimieren. Abhängig vom Moduldesign kann sogar die doppelte Anzahl von Modulen pro Stunde produziert werden.