DRAM-Preise fallen Ist dieser DRAM-Zyklus doch anders?

WSTS, IC Insights
WSTS, IC Insights

Erstmals bringt der Umstieg auf die nächstkleineren Prozessknoten trotz riesiger Investitionen nur wenig Bitwachstum: Also auch weniger Überkapazität und langsam fallende Preise?

Die DRAM-Hersteller haben ihre Fabs über die vergangenen zwei Jahre voll ausgelastet. Die Preise für die DRAMs stiegen rasant – seit August 2016 um nicht weniger als 165 Prozent. Den durchschnittlichen Verkaufsreis (ASP) geben die Analysten von IC Insights jetzt mit 6,79 Dollar an. Der Anstieg verlangsamte sich zwar in den ersten acht Monaten dieses Jahres, die Kurve ging aber weiter nach oben. Für das Gesamtjahr rechnen sie Analysten mit einem ASP von 6,65 Dollar und damit einem Anstieg um 38 Prozent.  

Auf der anderen Seite haben die DRAM-Hersteller in den Ausbau ihrer Kapazitäten investiert: 2017 waren es 16,3 Mrd. Dollar, 81 Prozent mehr als 2016, und in diesem Jahr sollen die Ausgaben für neue DRAM-Linien und Kapazitätserweiterungen noch einmal um 40 Prozent ansteigen. Die Erfahrungen im stark zyklischen DRAM-Markt zeigen, dass solchen Investitionen Überkapazitäten und damit fallende Preise folgen.

 

 

 

 

 


Was diesmal anders ist

Allerdings lohnt sich ein Blick in die Details, wer also in neue Kapazitäten investiert. War es in den bisherigen Zyklen meist so gewesen, dass die führenden Hersteller in die neusten Prozessgenerationen Geld gesteckt hatten, so sieht das Bild derzeit etwas anders aus. Denn hohe Investitionen tätigen gerade chinesische Hersteller, die in den Speicher-IC-Markt einsteigen wollen und dazu auch in ältere Prozesstechniken Geld stecken.

IC Insight erwartet, dass mit Innotron und JHICC die ersten chinesischen Hersteller in diesem Jahr im globalen DRAM-Markt erstmals eine Rolle spielen werden. Wie die chinesischen Neueinsteiger im internationalen Wettbewerb abschneiden werden und  ob sie ausschließlich für den heimischen Markt produzieren werden, das können auch die Analysten von IC Insights derzeit nicht sagen.

Weniger Bits für mehr Geld

Und noch etwas ist anders: Micron hatte kürzlich gezeigt, dass es um 35 Prozent mehr Maskenschritte erfordert, DRAMs unterhalb des 20-nm-Knotens zu fertigen, die Anzahl der Prozessschritte, die nicht direkt mit der Lithografie verbunden sind, würde sich pro Belichtung sogar um 110 Prozent erhöhen. Insgesamt seien 80 Prozent mehr Reinraumfläche pro Wafer erforderlich. Damit könnten aber bei weitem nicht so viele Bits mehr produziert werden: War bisher ein Plus von 50 Prozent beim Wechsel von einem Knoten auf den nächst kleineren üblich, so könnten unterhalb von 20 nm nur ein Bruchteil der 50 Prozent realisiert werden. Für einen wesentlich geringeren Bitzuwachs müssten die Hersteller also wesentlich mehr investieren.

In diesem Zyklus könne also der hohe Investitionsbetrag in neue Kapazitäten nicht das bisher übliche Bitwachstum nach sich ziehen, die Überproduktion also nicht so heftig ausfallen wie in den Zyklen zuvor. Zudem haben Hersteller wie Samsung und SK Hynix ihre ursprünglichen Investitionspläne bereits nach unten korrigiert.