Mehr als 12 GaN-Anbieter im Jahr 2014 GaN-Transistorenmarkt erreicht 2019 die 1-Mrd.Dollar-Umsatzschwelle

Weltmarkt für GaN-Bauelemente von 2012 bis 2020
Weltmarkt für GaN-Bauelemente von 2012 bis 2020

Noch bewegt sich das Umsatzvolumen für GaN-Leistungstransistoren bei knapp 2,5 Mio. Dollar (2011); bis 2019 sagt Yole Développment eine Marktexplosion auf eine Mrd. Dollar voraus.

Nach Einschätzung von Dr. Roussel, Business Unit Manager, Power Electronics bei Yole Développment hängt dieses exponentielle Wachstum von zwei Faktoren ab: Entscheidet sich die Automobilbranche für den Einsatz von GaN im Hybrid- und Elektrofahrzeugbereich, und steigen klassische LED-Hersteller in Zukunft mit GaN auch ins Smart-Power-Geschäft ein?

Aktuell beliefern nur zwei Hersteller, International Rectifier und EPC, den Markt mit GaN-Leistungshalbleitern. Für 2012 geht Dr. Roussel weiter von zwei Anbietern am Markt aus, deren Umsatzvolumen gemeinsam bei etwa 10 Mio. Dollar liegen dürfte. Mit dem beginnenden Ramp-up neuer Anbieter rechnet der Analyst für 2013 mit einem Umsatzvolumen von 50 Mio. Dollar. Für 2014 erwartet Dr. Roussel dann den Markteintritt von 12 bis 15 neuen GaN-Smart-Power-Anbietern. Das Produktionsvolumen von GaN-Leistungshalbleitern prognostiziert er für 2015 mit einem Produktionsausstoß von 100.000 Wafern im 6-Zoll-Format. Schafft GaN den Eintritt in den EV/HEV-Sektor der Automobilhersteller, hält Dr. Roussel ein Umsatzvolumen von 1 Mrd. Dollar im Jahr 2019 für möglich. Den Markt der GaN auf Silizium-Substraten taxiert er dann auf rund 300 Mio. Dollar.

Im R&D-Bereich wird nach wie vor intensiv an verschiedenen Substratlösungen gearbeitet: GaN-auf-Saphier, GaN-auf-SiC, GaN-auf-GaN, GaN-auf-AlN und GaN-auf-Silizium. Nach Einschätzung von Dr. Roussel dürfte aber GaN-auf-Silizium auch in Zukunft die dominierende Lösung sein. Aktuell ist GaN-auf-Silizium bereits auf 6-Zoll-Wafern mit einer 7 µm dicken Epi-Schicht erhältlich. 8-Zoll-Wafer durchlaufen aktuell die Qualifikation. Der Übergang zur GaN-Leistungshalbleiter-Produktion auf 8-Zoll-Wafern dürfte nach Einschätzung des Analysten den Marktdurchbruch für diese Leistungshalbleitertechnologie bedeuten.

Einen zusätzlichen Schub dürfte die Entwicklung des GaN-Leistungshalbleitermarktes durch neue Aktivitäten im Bereich der LED-Hersteller bekommen. Dr. Roussel berichtet in seinem aktuellen Report »Power GaN - 2012 Edition« von Überlegungen verschiedener LED-Hersteller, in das Geschäft mit GaN-Leistungstransistoren einzusteigen. Geschieht dies, so seine Einschätzung, dürfte sich der GaN-Leistungshalbleitermarkt noch schneller entwickeln, als derzeit erwartet.