Neue Speicher-IC-Techniken Flash-ICs werden noch lange dominieren

Auf einen Umsatz von 3 Mrd. Dollar sollen die 3D-XPoint-Speicher von Intel und Micron kommen – bis 2028.

Obwohl alternativer Speichertechniken in einigen Marktsektoren kräftig zulegen, werden Flash-Speicher über die nächsten Generationen dominieren.

Die führenden Hersteller von Flash-Chips produzieren jetzt die 3D-NAND-Typen, die sich so schnell nicht durch alternative Techniken ersetzen lassen werden,  wie der »Emerging Memory Report« von Coughlin Associates und Objective Analysis zeigt. Die Analysten haben PCMs, ReRAMs, FeRAMs und MRAMS genauso berücksichtigt wie weitere aufstrebende Speichertechniken.

STT-MRAMs  (Spin Tunnel Torque) könnten in die Bereiche der SRAMs, NOR-Flash-Memories und DRAMs vordringen, die 3D-XPoint-Speicher auf Basis der Phase-Change-Technik von Intel und Micron in die der DRAMs. Diese Speichertypen könnten schon 2020 bis 2021 in signifikanten Mengen (GB Speicherfähigkeit) und zu niedrigen Preisen als DRAMs angeboten werden. Bis 2028 prognostizieren die Analysten diesen Speichertypen einen Umsatz von 3 Mrd. Dollar.

Im vergangenen Jahr kam der Umsatz mit MRAMs auf 36 Mio. Dollar. Bis 2028 soll er mit 3,3 Mrd. Dollar sogar noch leicht über dem der 3D-XPoint-Speicher liegen. Das ginge auf Kosten der SRAM-, NOR-Flash und DRAM-ICs.

Darüber hinaus könnten die STT-MRAMS aber auch neue Nischen im Speichermarkt besetzen. Die MRAMs benötigen Spezialmaschinen, um die dafür erforderlichen speziellen Schichten abscheiden zu können, ähnlich wie sie in der Fertigung von Leseköpfen in HDDs erforderlich sind. Deshalb würde der Umsatz für diese Maschinen von 29 Mio. Dollar 2017 bis 2028 auf einen Wert zwischen 500 und 800 Mio. Dollar ansteigen.

Dagegen könnten ReRAMs direkten Einfluss auf den Markt für Flash-ICs nehmen, aber erst »irgendwann in der nächsten Dekade«.  In nächste Zeit könnten sie nur gewisse Nischenmärkte besetzten, genauso wie die FeRAMs. Allerdings könne sich die Zahl der Nischen mit den HfO-FRAMs erhöhen.