SOI Industry Consortium FD-SOI-Technologie für ARM-Prozessoren

Das SOI Industry Consortium beziehungsweise seine Mitglieder – ARM, Globalfoundries, IBM, STMicroelectronics, Soitec und CEA-Leti – konnten demonstrieren, dass sich die planare FD-SOI-Technologie (Fully-Depleted Silicon-on-Insulator) hervorragend für zukünftige Anwendungen eignet, die auf ARM-Prozessoren basieren.

So soll die FD-SOI-Technologie eine deutliche Geschwindigkeitssteigerung in Kombination mit einer gesenkten Leistungsaufnahme ermöglichen und damit die ideale Voraussetzung für den Einsatz in mobilen Geräten der nächsten Generation aufweisen. Erste Benchmarks zur FD-SOI-Technologie zeigen, dass die SRAM-Betriebsspannung um 100 bis 150 mV reduziert werden kann, wodurch die Leistungsaufnahme des Speichers um bis zu 40 Prozent sinkt, ohne dass die Stabilität des SRAMs gefährdet ist.

An einem Cortex-Prozessor als Prototyping-Vehicle wiederum konnte gezeigt werden, dass mithilfe der FD-SOI-Technologie die Spannung weiter gesenkt werden konnte, ohne dabei Kompromisse bei der Systemperformance eingehen zu müssen. Wobei die grundlegenden Eigenschaften der FD-SOI-Technologie sowieso Vorteile bei der Geschwindigkeit bringen. Denn bei einem typischen Low-Power-Prozess kann durch den Schritt auf die nächst kleineren Prozessstrukturen die Systemperformance um 20 bis 30 Prozent gesteigert werden, bei einer FD-SOI-Technologie sind on top dazu noch weitere 80 Prozent möglich.