1-TB-embedded-Universal-Flash-Storage Die Terabyte-Schwelle ist gefallen

Das 1-TB-eUFS erreicht beim wahlfreien Schreiben (Random Write Speed) bis zu 50.000 IOPS, was 500 Mal höher liegt als bei einer Hochleistungs-microSD-Karte (100 IOPS).
Das 1-TB-eUFS erreicht beim wahlfreien Schreiben (Random Write Speed) bis zu 50.000 IOPS, was 500 Mal höher liegt als bei einer Hochleistungs-microSD-Karte (100 IOPS).

Mit den 1-TB-embedded-Universal-Flash-Storage (eUFS) 2.1 zielt Samsung auf den Einsatz in Mobilgeräten der nächsten Generation.

Vier Jahre nach Einführung der ersten UFS mit einer Kapazität von 128 GB hat Samsung jetzt die Terabyte-Schwelle für Smartphone-Speicher überschritten. Die Smartphone-Nutzer werden sich an einer mit Premium-Notebooks vergleichbaren Speicherkapazität erfreuen können, ohne ihre Mobiltelefone wie bisher mit zusätzlichen Speicherkarten erweitern zu müssen.

»Die 1-TB-eUFS sorgen dafür, dass sich die damit ausgestatten Smartphones ähnlich wie Notebooks verhalten«, sagt Cheol Choi, Executive Vice President of Memory Sales & Marketing bei Samsung Electronics.

Bei gleichen Gehäuseabmessungen (11,5 mm x 13,0 mm) wie die 512-GB-Vorgängerversion bietet die neuen 1-TB-eUFS die doppelte Speicherkapazität und enthält einen Stapel aus 16 übereinandergestapelten 512-Gb-V-NAND-Flash-Dies sowie einen neu entwickelten proprietären Controller. Smartphone-Nutzer können dank des neuen 1-TB-eUFS künftig 260 zehnminütige Videos in 4K-UHD-Qualität (3.840 x 2.160 Pixel) speichern. Im Vergleich dazu bietet das derzeit in vielen High-End-Smartphones verwendete 64-GB-eUFS Platz für lediglich 13 Videos mit gleicher Größe.

Doppelte sequentielle Lesegeschwindigkeit

Mit dem 1-TB-eUFS lassen sich wegen der höheren Geschwindigkeit große Mengen an Multimedia-Inhalten in kürzerer Zeit als bisher zu übertragen. Bei einer Übertragungsgeschwindigkeit von bis zu 1.000 MB/s erreicht das neue eUFS etwa die doppelte sequentielle Lesegeschwindigkeit einer typischen 2,5-Zoll-SSD. Dies bedeutet, dass sich Full-HD-Videos mit 5 GB in nur 5 s auf eine NVMe-SSD speichern lassen, was der zehnfachen Geschwindigkeit einer typischen microSD-Karte entspricht.

Die Geschwindigkeit des wahlfreien Lesens (Random Read Speed) erhöht sich gegenüber der 512-GB-Version um 38 Prozent auf bis zu 58.000 IOPS. Die Geschwindigkeit beim wahlfreien Schreiben (Random Write Speed) ist mit bis zu 50.000 IOPS 500 Mal höher als bei einer Hochleistungs-microSD-Karte (100 IOPS). Aufgrund dieser Eigenschaften sind schnelle Serienaufnahmen mit 960 Bilder pro Sekunde möglich. Smartphone-Nutzer können so die Möglichkeiten der Multikamera-Technologie in Spitzenmodellen von heute und morgen voll ausschöpfen.

Samsung plant, die Produktion seiner 512-Gb-V-NANDs der fünften Generation im Werk in Pyeongtaek, Korea, im Verlauf der ersten Jahreshälfte 2019, weiter auszubauen, um die zu erwartende Nachfrage von Geräteherstellern nach 1-TB-eUFS-Karten zu erfüllen.