Jean-Marc Chery, CEO STMicroelectronics Die Industrieelektronik wird ausgebaut

Optische Sensoren große Welle bei MEMS

Im Bereich der Wideband-Gap-Materialien ist ST bisher bei SiC-MOSFETs tätig. Was sind die Pläne für die Zukunft?

ST arbeitet seit Langem an Siliziumkarbid, sodass die Technik vor ein paar Jahren ausgereift genug war, um mit Kunden, insbesondere mit einem Kunden, diskutiert zu werden. Wir haben beispielsweise im Automotive-Bereich den Mehrwert von SiC-MOSFETs für die Leistungsoptimierung eines Wechselrichters demonstriert, sodass Reichweiten von 450 bis 500 km möglich sind. Gemeinsam mit dem Kunden hielten wir die Technologie für ausgereift genug und arbeiteten auch bei Leistungsmodulen zusammen – und wir beschlossen, weiterzumachen.

Heute, ein Jahr nach dem Roll-out des Programms, ist ST das einzige Halbleiterunternehmen, das SiC-MOSFETs und SiC-Dioden für Wechselrichter und On-Board-Ladegeräte in Serie produziert. Wir fertigen bereits die zweite Generation und haben die Lieferkette mit mehreren Materiallieferanten aufgebaut. Wir haben viel Know-how aufgebaut, um zwei große Herausforderungen zu meistern, wovon eine nur mit hohem Volumen gelöst werden konnte. Derzeit entwickeln wie die 3. Generation und eine Trench-Technik. Mit der Trench-Technologie können Leistungs-MOSFETs verkleinert werden, um die Cost of Ownership zu senken. Wir arbeiten derzeit mit Kunden an über 30 Programmen. 2018 wird unser Umsatz im Zusammenhang mit SiC etwa 100 Mio. Dollar betragen, und wir streben eine führende Position in einem Markt an, den wir 2025 auf mehr als 3 Mrd. Dollar schätzen.

Akquisitionen wären auch eine Gelegenheit, die Aktivitäten im Bereich der Leistungshalbleiter auszubauen. Wie stehen Sie dazu?

Unser Plan und unsere Prioritäten sehen vor, uns auf organisches Wachstum zu konzentrieren. Dennoch versetzt uns unsere starke Finanzposition in die Lage, strategische Akquisitionen in Betracht zu ziehen, um unser Angebot insbesondere in den Bereichen Automotive und Industrial zu stärken.

ST nimmt eine absolut dominierende Rolle im Bereich der optischen ToF-Sensoren ein. Wie konnten Sie diesen Vorsprung herausarbeiten?

Wir haben aus zwei Dingen gelernt: Es machte keinen Sinn, Anfang dieses Jahrzehnts eine Kameralösung für Smart­phones zu entwickeln, weil Sony für Apple und Samsung für seine eigenen Geräte diese Sparte dominiert haben. Gleichzeitig haben wir unsere Lektion aus dem Fall Nokia gelernt – sei niemals das Bottleneck. So haben wir vor diesem Hintergrund unsere ganze Kraft in die Entwicklung von Proximity-Sensoren gesteckt und die erstellte Roadmap Punkt für Punkt umgesetzt. Wir beschäftigen heute in diesem Bereich rund 650 Mitarbeiter. Da wir im Bereich der ToF-Sensoren heute über das entsprechende Know-how, die IP sowie die notwendige etablierte Prozess- und Fertigungstechnik verfügen, können wir diese Technologie auch für 3D-Sensing-Lösungen einsetzen oder sie auch in die Anwendungsbereiche Automotive- und Industrie-Applikationen überführen.

Optische Sensoren stellen die zweite große Welle im Bereich MEMS und Sensoren dar. Was wird Ihrer Meinung nach das nächste große Ding sein: MEMS-Aktoren für Autofokus, Umweltsensoren oder etwas anderes?

Der nächste große Megatrend ist die Einführung von 5G und damit die fortschreitende Digitalisierung der Industrie. Ich sehe dabei keinen speziellen Trend zu einem neuen Typ von MEMS-Sensor. Ich bin vielmehr der Überzeugung, dass die MEMS-Technologie in Zukunft ein entscheidender Enabler bei der Umsetzung einer Reihe von Megatrends sein wird. Das gilt auch für die Umsetzung der nächsten Smartphone-Generationen.