Kommentar Das Bessere ist nun mal der Feind des Guten

Engelbert Hopf, Chefreporter M&T, EHopf@weka-fachmedien.de

Dr. Alex Lidow hat zweimal die Welt der Leistungselektronik revolutioniert. Mit GaN on Silicon macht er zwar seiner eigenen Entwicklung aus früheren Zeiten Konkurrenz, aber er schafft wieder einmal vollkommen neue Möglichkeiten.

Als Dr. Alex Lidow 1978 als junger Forschungsmitarbeiter im Unternehmen seines Vaters den Trench-FET erfand, schickte sich International Rectifier damit an, den bis dahin dominierenden bipolaren Leistungshalbleiter den Kampf anzusagen. Der Rest der Geschichte ist bekannt, Dr. Lidow, hat mit seiner Erfingung einen neuen Markt geschaffen. Als Dr. Lidow 2007 International Rectifier verließ, tat er das mit dem Know-how seiner GaN-on-Silicon-Forschungsaktivitäten und gründete EPC. Sein Ziel dabei, das was er bisher erreicht hatte, mit einer neuen Technologie zu verbessern, also letztlich sich selbst zu schlagen.

Im Gegensatz zur Mehrzahl der der GaN-Pioniere hat sich Dr. Lidow nie für die Spannungsklassen ab 650 V interessiert. Ihm ging es von Beginn an darum, die Vorteile von GaN-on-Silicon da zur Wirkung zu bringen, wo sie am größten sind. Performance, hohe Schaltgeschwindigkeiten und Preis, das waren und sind seine drei Ziele. Mit der 5. Generation seiner GaN-Leistungshalbleiter, ist er preislich nun auf dem Niveau herkömmlicher MOSFETs angekommen. Und das Optimum ist immer noch nicht erreicht. Glaubt man ihm, ist noch eine Verbesserung um den Faktor 300 möglich, was das bedeutet, kann sich nicht nur jeder MOSFET-Hersteller ausrechnen!

Wer letzte Woche die PCIM besucht hat, wird dort vor allem zwei Entwicklungen beobachtet haben: Silizium wehrt sich, und läuft inzwischen etwa in Form der Superjunction-MOSFETs zu Performance-Werten auf, die es ohne die Wettbewerber SiC und GaN wohl erst in einigen Jahren gegeben hätte. Auf der anderen Seite bauen die SiC- und GaN-Anbieter ihre Produktionskapazitäten kontinuierlich aus. Fast überall findet derzeit die Migration von 4- auf 6-Zoll-Wafer statt, oder ist bereits abgeschlossen.

Auffällig auch, die Bemühungen darum, Silizium, SiC und GaN aus einer Hand anzubieten, haben sich etwas verlangsamt. Gut, da ist Infineon, On Semiconductor könnte es auch, hält sich aber derzeit in Sachen GaN ziemlich bedeckt. Panasonic treibt nun neben GaN auch SiC verstärkt voran und Rohm Semiconductor ist eine Kooperation mit GaN Systems eingegangen. Und natürlich wäre da auch immer noch Mitsubishi Electric, das aktuell seine SiC-Kapazitäten ausbaut, sich bei GaN aber immer noch auf R&D beschränkt.

So wichtig die unterschiedlichen Leistungshalbleitervarianten auch sein mögen, ohne die passenden passiven Bauelemente wäre Leistungselektronik, wie wir sie kennen nicht möglich. Diese Bedeutung schlägt sich auch in der Zahl der entsprechenden Aussteller auf der PCIM nieder. Gut ein Drittel der über 500 Aussteller der diesjährigen PCIM beschäftigt sich im Kerngeschäft mit passiven Bauelementen.

Im Zusammenspiel mit den GaN-Leistungshalbleitern von EPC und anderen Herstellern, oder den diversen SiC-MOSFETs, werden die Anforderungen an passive Bauelemente in entsprechenden Applikationen neu definiert. Aspekte, auf die auch das 3. Anwenderforum Passive Bauelemente, »Passive für Profis!, am 27./28. Juni in München, im Rahmen seiner insgesamt 23 Vorträge zu den Besonderheiten passiver Bauelemente, und den aktuellen Entwicklungen in der Branche eingeht. Informieren Sie sich unter www.passive-anwenderforum.de, und melden Sie sich heute noch an. Ich würde mich freuen, wenn wir Ihnen mit unserem Programmangebot eine Hilfe sein können!