Samsung investiert kräftig CEO warnt vor Überangebot

Das Werk von Samsung in Pyeongtaek, wo gerade im zweiten Stock eine neue DRAM-Linie entsteht.
Das Werk von Samsung in Pyeongtaek, wo gerade im zweiten Stock eine neue DRAM-Linie entsteht.

Neue Technologien zu entwickeln, werde schwieriger, ein Überangebot drohe, so warnt Kim Ki-nam, CEO von Samsung Electronics.

»Derzeit ist es nicht einfach, vorherzusagen, wie sich die industrielle Landschaft verändern wird«, mit diesen Worten zitiert »The Korea Herald« Kim Ki-nam. Laut IHS Markit werde der DRAM-Markt in diesem Jahr um 16.9 Prozent auf 84,4 Mrd. Dollar wachsen – nachdem er von 2016 auf 2017 schon um sagenhafte 72 Prozent zugelegt hatte.

Weil die Nachfrage nach DRAMs immer noch hoch ist, baut Samsung gerade eine zweite Linie im zweiten Stock ihrer neuen Fab in Pyeongtaek.

60 Prozent der Investitionen will Samsung in die 3D-NAND-Flash-ICs stecken. Auch die NAND-ICs hatten im vergangenen Jahr mit einem Sprung um 46 Prozent auf knapp 54 Mrd. Dollar einen gewaltigen Sprung nach oben genommen. In diesem Jahr soll der Markt noch einmal um 10 Prozent wachsen.

Laut IC Insights hatte Samsung im vergangenen Jahr nicht weniger als 26 Mrd. Dollar investiert, was immerhin 20 Prozent der gesamten Investitionssumme aller Halbleiterhersteller weltweit entspricht. Davon seien 14 Mrd. Dollar auf Linien für die 3D-NAND-Flash-ICs entfallen, 7 Mrd. hätte Samsung in die DRAMs gesteckt und 5 Mrd. Dollar in das Foundry-Geschäft.

19 Mrd. Dollar bis 2021

Laut der Economic Times will Samsung üb er die nächsten vier Jahre 19 Mrd. Dollar in den Ausbau der Fabs für Chips und Displays investieren, bis 2021 allein 12,5 Mrd. Dollar in die Fab in Pyeongtaek, eine der größten Fabs der Welt, mit derem Bau das Unternehmen vor zwei Jahren begonnen hatte. Zudem flössen wetiere 5,2 Mrd. Dollar in das Memory-Cluster in Hwaseong. Dagegen nehmen sich die 671 Mio. Dollar, die für die Display-Fab in Asan vorgesehen seien, geradezu bescheiden aus.