1. Anwenderforum Leistungshalbleiter Anwendungs-Know-how für Leistungshalbleiter

Das »Anwenderforum Leistungshalbleiter« findet vom 22. bis 23. November 2017 in München statt.
Das »Anwenderforum Leistungshalbleiter« findet vom 22. bis 23. November 2017 in München statt.

Ob Fensterheber, Aufzugsteuerung, oder Pumpen, um Leistung zu schalten, bedarf es MOSFETs, IGBTs, Power-Module und Dioden. Effizienz und niedriger Leistungsverbrauch eines Geräts hängen darum entscheidend von der richtigen Auswahl und dem cleveren Leistungshalbleitereinsatz ab.

Naturgemäß liegen die Stärken von Systementwicklern nicht unbedingt im Leistungshalbleiterbereich. Und dann gibt es da ja noch die neu auf den Markt drängenden Wide-Band-Gap-Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Welche Vorteile bieten sie eigentlich, und was ist bei ihrem Einsatz besonders zu beachten?

Zwischen der letzten PCIM und der nächsten APEC gelegen, bietet das von der Markt&Technik und der Design&Elektronik veranstaltete »Anwenderforum Leistungshalbleiter« (22. bis 23. November 2017 im Konferenzzentrum München (Hanns Seidel Haus)), Entwicklern praxisorientierte Hilfestellung beim Einsatz von Silizium- und Wide-Band-Gap-Leistungshalbleitern. Im Zentrum der Veranstaltung steht dabei der zielgerichtete  Know-how-Transfer vom Profi zum Profi.
Das Anwenderforum wendet sich vor allem an Systementwickler aus der DACH-Region. Die Veranstaltung findet überwiegend in deutscher Sprache statt. Applikationstechnisch deckt das »Anwenderforum Leistungshalbleiter« die Einsatzbereiche Industrieelektronik, Medizintechnik, Erneuerbare Energien und Automotive ab. 

Realisiert wird die Veranstaltung in enger Zusammenarbeit mit zwei namhaften Industriepartnern: Infineon Technologies und Vishay. Begleitet wird die Veranstaltung von einer zweitägigen Tabletop-Messe. Insgesamt 22 Referenten von 16 Unternehmen und Forschungsinstituten decken mit 23 Vorträgen die ganze Themenvielfalt der Leistungshalbleitertechnik ab. 

Bekannte Persönlichkeiten der Branche halten an beiden Veranstaltungstagen Keynotes. So beschäftigt sich Dieter Liesabeths, Director Power Sales EMEA bei Wolfspeed, zu Beginn des ersten Tages mit den »Herausforderungen der Automobilindustrie in Bezug auf Wide-Band-Gap-Materialien«. Nach der Mittagspause widmet sich Frédéric Dupont, Gründer und CEO von Exagan, dann dem Thema: »Driving GaNPower Device Roadmap For Large Scale Adoption«. Ein GetTogether zum intensiven Networking und Erfahrungsaustausch, beendet kurz nach 18 Uhr den ersten Veranstaltungstag. 
 

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1. Anwenderforum Leistungshalbleiter der Markt&Technik und Design&Elektronik

Die Keynote-Sprecher

Dr. Peter Wawer, Division President IPC bei Infineon Technologies, eröffnet den zweiten Veranstaltungstag mit der Keynote: »Wie Siliziumkarbid die Leistungselektronik verändern wird«. Norbert Pieper, Senior Vice President Business Development bei Vishay, beleuchtet nach der Mittagspause das Thema: »Semiconductor Technologies at the crossroads – how to enable transition in power electronics«.  

Drei Intensivseminare beschäftigen sich mit den Themen: Silizium-, SiC- und GaN-Leistungshalbleiter: Dr. Peter Friedrichs, Senior Director SiC bei Infineon referiert zum Thema »Siliziumkarbid in der Anwendung«, Dr. Kurt Smith, Reliability Manager bei Transphorm , spricht über »GaN Power Switch Reliability« und Dr. Martin Schulz, Application Engineering Manager bei Infineon Technologies, widmet sich in seinem Intensivseminar der »Zuverlässigkeit und Robustheit von Power-Modulen«.
Zu den auf der Veranstaltung vortragenden Firmen und Instituten gehören CADFEM, Digi Key, Exagan, GaN Systems, Fraunhofer IISB, Infineon Technologies, Mitsubishi Electric, On Semiconductor, Panasonic, STMicroelectronics, Rohm Semiconductor, Semikron, Transphorm, Vincotech, Vishay und Wolfspeed. 

Unter www.leistungshalbleiter-anwenderforum.de können Sie sich über die Veranstaltungsdetails informieren und sich anmelden.