Freescale 90-nm-Dünnschicht-Flash- und FlexMemory

Freescale wird künftig Flash-Speicher auf Basis der 90-nm-Thin-Film-Storage -Technik (TFS) auf seine MCUs integrieren. Die Schicht enthält eine Vielzahl von Silizium-Nanokristallen, die das herkömmliche Floating-Gate ersetzen.

Dadurch umgeht dieser Ansatz das Leakage-Problem, mit denen die Floating-Gates bei schrumpfenden Strukturgrößen zu kämpfen haben. »Das ist ein Durchbruch für die Integration von embedded Flash-Speichern auf Controllern«, sagt Bruno Baylac von Freescale. Außerdem lässt sich die Dünnfilmtechnik kosteneffektiv umsetzen: Die Abscheidung des Films geschieht auf Standard-Maschinen, die Fertigung des auf Split-Gate-Zellen basierenden Flash-Speichers erfordert um 30 Prozent weniger Masken als bisher. Die TFS-Speicher stellen die volle Flash-Funktionalität  bis zu einer spezifizierten Mindestspannung von 1,71 V bereit. Die Zugriffszeit liegt unter 30 ns.

Ein weiterer interessanter Bestandteil der TSF-Technik ist FlexMemory. Über Flex-Memory lassen sich EEPROMs emulieren, die über 10 Mio. Schreib-Lösch-Zyklen erreichen. Das FlexMemory kann der Anwender als zusätzlichen Flashspeicher oder als Kombination von EEPROM und Flash konfigurieren. Ein Lösch/Schreibvorgang benötigt lediglich 1,5 ms, ein Fünftel dessen, was traditionelle EEPROMs benötigen.

Das FlexMemory lässt sich für die Speicherung zusätzlichen Anwendungscodes, die Speicherung von Datentabellen oder für das byteweise Löschen und Schreiben von Systemdaten nutzen. In allen Betriebsarten können Zugriffe auf das FlexMemory gleichzeitig mit solchen auf den Hauptprogrammspeicher erfolgen.  

Freescale will Muster seiner MCU-Produkte mit 90-nm-TFS-Technik und FlexMemory im dritten Quartal 2010 anbieten - die Stückzahlenproduktion soll Anfang 2011 aufgenommen werden.