Everspin und Globalfoundries 12-nm-MRAM-Partnerschaft

Troy Winslow, Vice President of Sales and Marketing von Everspin: »Mit der Skalierung der MRAMs auf die 12-nm-FinFET-Plattform verstärken wir nicht nur unsere Technologieführerschaft, sondern gehen mit den STT-MRAMs den nächsten Schritt in die Zukunft der Speichertechnik.«
Troy Winslow, Vice President of Sales and Marketing von Everspin: »Mit der Skalierung der MRAMs auf die 12-nm-FinFET-Plattform verstärken wir nicht nur unsere Technologieführerschaft, sondern gehen mit den STT-MRAMs den nächsten Schritt in die Zukunft der Speichertechnik.«

Everspin und Globalfoundries haben ihre MRAM-Entwicklungskooperation auf die Fertigung von MRAMs mit Prozessgeometrien bis hinunter zu 12 nm ausgedehnt.

Die bisherige MRAM-Vereinbarung (Magnetoresistive Random Access Memory) zwischen Everspin und Globalfoundries erstreckte sich auf STT-Typen (Spin-Transfer Torque), die mit Hilfe von 40-nm-, 28-nm- und 22-nm-Prozessen gefertigt werden. Everspin produziert derzeit Stand-alone-STT-MRAM-ICs in 40-nm- und 28-nm-Prozessen. Dazu gehört der DDR4-Typ, der eine Speicherkapazität von 1 Gb erreicht. Globalfoundries hatte kürzlich bekannt gegeben, dass das Unternehmen im Rahmen der 22FDX-Plattform die Produktion von embedded MRAMs (eMRAMs) aufgenommen hat.   

Everspin hält über 650 Patente im Zusammenhang mit der MRAM-Technik. Insgesamt hat das Unternehmen bisher über 125 Mio. MRAM-ICs an über tausend Kunden geliefert. Der Speicheranalyst Dr. Thomas Coughlin schätzt, dass diskrete MRAMs bis 2029 auf einen Umsatz von 4 Mrd. Dollar pro Jahr kommen werden.  

Globalfoundries setzt auf die embedded-MRAM-Technik (eMRAM), um diese nichtflüchtigen Speichertypen anstelle von Embedded Flash in Controller und ICs zu integrieren, die in vernetzten IoT-Geräten Einsatz finden. Die eMRAMs bieten schnellere Schreibgeschwindigkeiten als Embedded Flash, einen längeren Datenerhalt und halten höhere Temperaturen aus, wie sie in Embedded-Anwendungen auftreten. Auch gegenüber Embedded SRAM bieten sie einige Vorteile. Neben ihrer Nichtflüchtigkeit und der niedrigeren Leistungsaufnahme eine geringere Größe bei vergleichbaren Werten für Performance und Datenerhalt.   

»Über die Partnerschaft mit Everspin haben wir uns gemeinsam an die Spitze im Bereich der Entwicklung und der Fertigung von STT-MRAMs gesetzt. Wir freuen uns darauf, die eMRAMS nun auch auf unsere 12-nm-FinFET-Plattform zu bringen«, sagt Gregg Bartlett, Senior Vice President of Technology, Engineering and Quality von Globalfoundries.

Die STT- und Toggle-MRAMs von Everspin eignen sich für den Einsatz in unterschiedlichen Geräten und Branchen. Dazu gehören die Infrastrukturen von Unternehmen, Datencentern, der Industriesektor und IoT im Allgemeinen. Die MRAMs erhöhen die Zuverlässigkeit und die Leistungsfähigkeit der Geräte. Falls der Strom ausfällt sind keine Supercaps oder Batterien erforderlich, um sich vor Datenverlust zu schützen. Sie bieten in einem einzigen nichtflüchtigen Speicher-IC sowohl die Leistungsfähigkeit als auch den Datenerhalt, die erforderlich sind, um Code oder Daten zu speichern.

»Weil wir mit Globalfoundries die Partnerschaft eingegangen sind, konnte Everspin als erster Hersteller die Spin-Transfer-Torque-MRAMs kommerzialisieren«, sagt Troy Winslow, Vice President of Sales and Marketing von Everspin. »Mit der Skalierung der MRAMs auf die 12-nm-FinFET-Plattform verstärken wir nicht nur unsere Technologieführerschaft, sondern gehen mit den STT-MRAMs den nächsten Schritt in die Zukunft der Speichertechnik.«