X-FAB Silicon Foundries 100-V-Hochvolt-Foundrytechnologie mit 0,35-µm-Strukturen

X-FAB Silicon Foundries hat seinen ersten 100-V-Hochvolt-Foundryprozess auf Basis der 0,35-µm-Technologie vorgestellt. Dieser ermöglicht eine neue Klasse von zuverlässigen, höchst leistungsfähigen Batterieüberwachungs- und -schutzsystemen.

Der Prozess eignet sich außerdem hervorragend für Power-Management-Anwendungen sowie Ultraschall-Bildgebungs- und Tintenstrahldruckkopf-Applikationen mit piezoelektrischen Treibern. Hinzugefügt wurden außerdem neue und verbesserte N- und P-leitende DMOS-Transistoren mit 45 Prozent geringerem Einschaltwiderstand für verschiedene Betriebsspannungen bis zu 100V. Dadurch kann die benötigte Siliziumfläche um bis zu 40 Prozent verkleinert und die Chip-Kosten entsprechend reduziert werden.

X-FAB wird diese Möglichkeiten detailliert in einem kostenfreien Webinar mit dem Titel »Addressing High-Voltage Applications with the Industry’s First 0.35 Micrometer 100V Pure-Play Foundry Process« vorstellen, das weltweit am 27. und 28. Juli stattfinden wird.

Dazu Jens Kosch, CTO bei X-FAB: »Die wachsende Beliebtheit von Quellen erneuerbarer Energien für Hybrid- und Elektroautos, photovoltaische Zellen und Windturbinen erfordert sichere, hochleistungsfähige Energiespeicher-Management-Lösungen. Mit X-FAB’s neuem Hochvoltprozess können unsere Kunden diese und andere neue Anwendungen mit starkem Wachstumspotenzial adressieren – zu geringeren Kosten. So haben zum Beispiel namhafte Automobilhersteller auf der ganzen Welt großes Interesse an Power-Management-Lösungen für Lithium-Ionen-Akkus. Mit X-FABs neuem HV-Prozess können sie sicherere Batterieüberwachungs- und -schutzsysteme mit höherer Leistungsfähigkeit realisieren.«

X-FABs neue und verbesserte N- und P-leitende DMOS-Transistoren mit Gate-Oxid-Dicken von 14 nm oder 40 nm bieten Anwendern die Wahl zwischen 5- oder 12-V-Steuerspannung für Anwendungen mit Betriebsspannungen von 55, 75 und 100 V. Durch die erhebliche Verringerung des Einschaltwiderstandes, die Integration einer EEPROM-Funktion zum Speichern von Programm- und Abgleichinformationen in den Basisprozess und die Option einer dicken, dritten Metalllage konnte X-FAB die Kosten pro Funktion deutlich senken. Neu hinzugefügte 5-V-NMOS- und -PMOS-Transistoren können zudem zwischen Masse und der maximalen Betriebsspannung von 100 V floaten. Als weitere Schaltungselemente wurden auch Schottky-Dioden, 20- und 100-V-Hochvolt-Kapazitäten sowie bipolare Transistoren verbessert.

Alle erwähnten Funktionen und Schaltungselemente stehen ab sofort im Rahmen von X-FABs 0,35-µm-Hochvolt-Prozessangebot (XH035) zur Verfügung.